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单温区PE-CVD系统

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更新时间:2023-11-01 09:33:15浏览次数:101

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产品简介

产品特点高性能射频电源.等离子体更稳定;滑轨式结构能使整个反应腔室都处于辉光产生区;可实现快速升温和降温功能;与传统CVD相比较,生长温度更低

详细介绍

产品特点

 

  • 高性能射频电源.等离子体更稳定;
  • 滑轨式结构能使整个反应腔室都处于辉光产生区;
  • 可实现快速升温和降温功能;与传统CVD相比较,生长温度更低。

 

技术参数

 

项目
型号
TFE - 1200 - 50 - - 220
可达温度
1150℃(短期)
额定温度
1100℃
推荐升温速率
≤10℃/min
控制精度
±1℃
炉管尺寸
Φ30/50/60*1200mm
炉膛尺寸
Φ80*220mm
加热区长度
220mm
恒温区长度
80mm
加热元件
优质国产电阻丝
额定功率
3KW
供气系统
三路高精度MFC 量程0-500sccm(可定制)
射频电源
射频功:5-500W;射频频:13.56MHz;匹配方式:自动匹配
真空系统
双级旋片真空泵(可定制扩散泵 分子泵等)
外形尺寸
1250*510*810mm

 

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