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高温高湿反偏试验系统(H3RTB)

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更新时间:2023-10-21 17:38:23浏览次数:81

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产品简介

高温高湿反偏试验系统(H3RTB) 高温高湿反偏试验系统(H3RTB)用于功率半导体器件的环境老化试验,比如 Si/SiC/GaN 材料的IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的高温,高湿,偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程,同时可附带评价器件外观的寝蚀试验。 ......

详细介绍

产品型号AS-H3TRB-C8AS-H3TRB-C16AS-H3TRB-H8
箱体尺寸
试验箱内容积升(L)408408408
内箱尺寸
(mm)
宽(W)600600600
高(H)800800800
深(D)850850850
外箱尺寸
(mm)
宽(W)200020002000
高(H)191501915019150
深(D)118011801180
技术参数
适用器件全桥、SCR、三极管、场效应管等IGBT/DIODE/MOSFET/BJT/SCR 等器件
试验箱温度范围 -20~150℃-70~180℃
试验通道8个 16个8个
电源数量根据客户需求提供≤8台
试验电源≤300V≤6000V
老化板可按客户的器件封装定制老化板。
供水方式手动和自动补水
水质要求纯水




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