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详细介绍
它可从蒸篮和坩锅进行碳蒸发、金属蒸发并且可选溅射附件。
K975X可应用一系列成熟技术，包括镀碳及TEM覆形，碳/金属蒸发、低角度Shadowing和通过使用双源蒸发进行顺序涂层，可选的溅射镀膜附件能适用于各种靶材。
通过使用微处理控制器，更增强了系统的灵活性，用户很容易附加各种可选件，但是这些“缺省”都是经过优化操作设计，使得全自动和手动操作均可实现操作。
的抽屉式样品装载系统使用户方便放入各种样品，铰链式顶盖结构很容易达到系统其它区域。
涡轮分子泵安装在系统外部，可方便安装及更换，它的前级真空为旋转真空泵。 整个抽气过程为全自动控制，达到高真空后进行蒸发。本仪器为台式，可方便地进行使用控制，使用中的疏忽也不易造成损坏。
K975S半导体晶圆蒸镀仪
K975S基于K975X，但是它具有特殊的装载锁定门，可允许放入8英寸（200mm）晶圆镀碳，应用于FIB。
优点
● 容易操作
● 使用灵活
● 可靠的碳蒸发
● 方便的样品装载及卸载
● 灵活的操作，可选择碳及金属蒸发源
● 在排气过程中可防止样品损坏
● 系统灵活性强
● 很容易测量金属或碳沉积膜厚
技术参数：
仪器尺寸：450mm W x 500mm D x 300mm H
工作腔室：硼硅酸盐玻璃，带有铰链式顶盖。250mm Dia x 300mm H（样品可达直径200 mm即8"）
安全钟罩：聚碳酸酯，维护时工作腔室很容易移开
重量：65Kg
碳枪：高度可调，倾斜0-20o ，使用直径6.15mm碳棒
涡轮分子泵：100L/Second为标准配置，可选各种尺寸
真空计范围：ATM - 1x10-7mbar
工作真空达到时间：15分钟内
操作真空：10-5 mbar量级（可选液氮冷阱）
蒸发源（脉冲或可变控制）：四种模式可选，低电压
a.c. V, 5V, 15V,25V @ 25 amps. 7V @100 amps
样品台：0-45o可倾斜
旋转样品台（可选）：直径60mm，倾斜0-45o，具有
15rpm 到 45rpm可变速度控制
Services –Argon（对可选溅射附件） - Nominal 4psi.
真空泵：No. 2 泵(2m3/Hr)，complete with Vacuum Hose
& Oil Mist Filter
电源：230V 50/60Hz (包含泵电流为8 Amp)；
115V 50/60Hz (包含泵电流为16 Amp)
注：In Circuits with Current Trips , when using Pulse for
230 v a 16amp minimum for 115 v a 32 amp minimum
可选溅射附件
溅射电流：0到100mA
沉积速率：0到50nm/分（Au）
标准靶：57mm Au（可选Pt, Pt/Pd, Pd, Cr, Ni, Cu, Ag）
定时：0到4分钟
HT安全互锁装置
可选膜厚监测系统
可选辉光放电
主要特点：
特点
● 全自动抽真空系统
● 样品尺寸可达140毫米见方或200毫米直径
● 的“anti-stick”碳棒蒸发机构
● 抽屉式样品装载系统
● 可选的蒸镀类型，具有四种蒸发设置
● 约束的或开放的排气控制
● 可选用各种溅射靶材附件适用于一系列金属
● 可选膜厚监测系统
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