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详细介绍
自动涂布机.CM1624D
1·涂布均匀，厚度平整
2· 涂布速度可以随意调整
3· 操作方便，效率高
自动涂布机
型号CM10D CM1624D
自动涂布机.CM1624D
zui大网版尺寸1000x1000mm/1600x2400mm
涂布速度0-8m/min
电源220v/380v
功率1kw
重量400kg/500kg
| 产品名称：镜面式露点变送器 产品型号：OPT |
镜面式露点变送器 型号：OPT
产品简介
严谨的工业过程需要精确的和可靠的测量与控制. 多年以来,密析尔的冷镜式露点测量技术以其*的精度,可靠性与操作简便而闻名,无论是在实验室或是其他工业应用场合.现在,Optidew将所有的这些优势集中到一个能适用于任何严格的露点或相对湿度测量的工业变送器中.
泛用的软件使用户能轻松设定仪器的参数如度量单位 (RH, 露点, 温度, g/kg 及 g/m3), 输出范围, ℃ 或 ℉ 选择等. 该软件还能提供数据资料记录和现场制图,就象zui小值/zui大值/平均值 计算一样便利.
Optidew 拥有单级或两级冷却,并且有一体式, 远传式或探针型传感器供选择. 两种显示选项提供 简单的 3.5 数字 LED 显示器或者是更复杂的背发光 LCD 显示器以供选择.
Optidew 的显示系统使用高清晰的数字输出用于显示以测量的湿度读数
产品特点
1.无漂移的露点测量原理
2.高性能的数字控制回路技术
3.结构牢固，IP66级工业标准外壳
4.工业过程露点、%RH和温度精密测量
5.高温传感器可选，zui高130℃
| 测量范围 | zui低露点-29℃（无辅助散热，环境温度21℃） |
| 精 度 | ±0.2露点 ±0.1℃温度 |
| 反应速度 | 1℃每秒 |
| 测量单位 | ℃℉露点；℃℉温度：%rh gm-3,gkg-1 |
| 工作压力 | 高至25MPa |
| 工作温度 | -40… +90℃（探头部分）-20…+40℃（整机） |
| 变送器主体 | 316不锈钢 |
| 传感器镜面 | 镀金铜 |
| 电缆长度 | 250米 zui长 |
| 流量等级 | 建议位0.1…2NL/Min |
| 工作电源 | 85…264V,47/440Hz |
| 输出信号 | 4…20 mA,RS232,报警 |
| 用户校验 | 出厂前已经校准 |
| 溯源性 | NPL（英国）和NIST(美国) |
| 质量保证期 | 12个月 |
| 产品名称：实验室氨氮快速比色测定仪 实验室氨氮测定仪 产品型号： 100NH |
实验室氨氮快速比色测定仪 实验室氨氮测定仪 型号： 100NH
仪器依测试标准的不同，有A、B类型。其中A型采用纳氏试剂比色法GB7479-87；B型采用国标GB7418—81及ISO7150/1—1984所规范的水杨酸光度法为基本测试手段，辅以样品比色反应预处理，实现样品的快速、准确的比色测定，具有稳定、灵敏、可靠以及不含汞等优点。
特点：
1.仪器采用标准：水杨酸比色法完成水质氨氮测量，采用标准所规范的二氯异三氰酸钠，取代常用次氯酸钠，使试剂溶液含氯稳定性和有效性大大增强（B型）。
2.仪器可进行标准比色曲线的制作、贮存，并或根据不同水体对象进行水质氨氮比色曲线调整。
3.采用*光路比色系统，是仪器的可靠、稳定性有较大的提高。
4.*的样品处理方式，在分析结果准确的前提下，缩短分析时间（B型）。
技术指标和性能参数
1.测量范围：氨氮浓度0.01mg/L～20mg/L 直接测量；大于20mg/L的水质稀释测量；
2.仪器准确度：氨氮浓度为0.01mg/L～0.1mg/L,对误差≤±0.01mg/L；氨氮浓度为>0.1mg/L～1.0mg/L,相对误差≤±10%
3.仪器重复性误差：氨氮浓度为0.01mg/L～0.1mg/L,标准偏差S≤0.01mg/L；氨氮浓度为>0.1mg/L～1.0mg/L,相对标准偏差Cv≤8%
4.分析时间：不大于30min；
5.数据输入：薄膜开关键盘；
6.数据输出：LCD显示，打印机打印
| 产品名称：半导体分立器件测试仪 产品型号：CS2935 |
半导体分立器件测试仪型号：CS2935
一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和*性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、测试参数
1． 二管
VF、IR、BVR
2． 稳压（齐纳）二管
VF、IR、BV Z
3． 晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4． 可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5． 场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS
6． 光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
三、测试参数范围
晶体管
测试参数 | 测试范围 |
ICEO ICBO IEBO | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) VBE(sat) | 0.10V-30V |
VBE(VBE(on)) | 0.10V-30V |
hFE | 1－99999 |
V(BR)EBO | 0.10V-30V |
V(BR)CEO V(BR)CBO | 0. 10V-50V 50V-1499V |
二管
测试参数 | 测试范围 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
V(BR) | 1V-50V |
50V-1499V |
稳压二管
测试参数 | 测试范围 |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VF | 0.10V-30V |
VZ | 0.10V-50V |
三端稳压器
测试参数 | 测试范围 |
VO | 0.10V-30V |
SV | 0.10mV-1V |
ID | 1uA-10mA |
IDV | 1uA-10mA |
MOSFET
测试参数 | 测试范围 |
VGS(th) | 0.10V-30V |
gfs | 0.1mS-1000S |
RDS(on) | 10mΩ-100KΩ |
VDS(on) | 0.10V-50V |
IGSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
IDSS | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
ID(on) | 0-50A |
V(BR)GSS | 0.1V-30V |
V(BR)DSS | 0.1V-1499V |
光耦
测试参数 | 测试范围 |
VF | 0.10V-30V |
IR | 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA |
VCE(sat) | 0.10V-50V |
CTR | 0.1%-1000% |
ICEO | 与IR参数相同 |
V(BR)ECO V(BR)CEO | 0.10V-50V 50V-1499V |
可控硅
测试参数 | 测试范围 |
IGT | 10uA-200mA |
VGT | 0.10V-30V |
IH | 10uA-1A |
IL | 10uA-1A |
VTM | 0.10V-50V |
四、技术指标
1、源的指标
主压流源 (VA)
电压：
设定范围（V） | 精确度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~50) | ±(73.2mV+0.5%set) |
电流：
测量范围 | 精确度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脉冲） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脉冲） | ±(244mA+0.5%set) |
压流源 (VB)
电压：
设定范围（V） | 精确度 |
±(0~10) | ±(14.6mV+0.5%set) |
±(10~30) | ±(43.8mV+0.5%set) |
电流：
测量范围 | 精确度 |
±(0-50)uA | ±(244nA+0.5% set) |
±(50-500) uA | ±(2.44uA+0.5% set) |
±(0.5-5) mA | ±(24.4uA+0.5% set) |
±(5-50) mA | ±(244uA+0.5% set) |
±(50~500) mA | ±(2.44mA+0.5%set) |
±(0.5~5)A（脉冲） | ±(24.4mA+0.5%set) |
±(5-50)A（脉冲） | ±(244mA+0.5%set) |
高压源（HV）
设定范围（V） | 精确度 |
0~1500 | ±(1.22V+1%set) |
*1500V时 大输出为5mA。
2、电压表的指标
测漏电流
测量范围 | 精确度 |
±(0~200)nA | ±(2.44nA+0.5% Rdg) |
±(0.2-2)uA | ±(24.4nA+0.5% Rdg) |
±(2-20)uA | ±(244nA+0.5% Rdg) |
±(20~200) uA | ±(2.44uA+0.5% Rdg) |
±(0.2~2)mA | ±(24.4uA+0.5% Rdg) |
±(2-20)mA | ±(244uA+0.5% Rdg) |
测试电压
设定范围（V） | 精确度 |
±(0~10) | ±(3mV+0.5% Rdg) |
±(10~50) | ±(15mV+0.5% Rdg) |
测击穿电压
设定范围（V） | 精确度 |
（0~50）V/10mA | ±(36.6mV+0.25% Rdg) |
（50~1500）V/1mA | ±(610.3mV+1% Rdg) |
放大倍数
设定范围（V） | 精确度 |
1~9999 | 1% |
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