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福州市便携式绝缘子盐密度测试仪生产工厂

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  • 型号 HDYM-II
  • 品牌
  • 厂商性质 生产商
  • 所在地 武汉市

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更新时间:2019-12-03 11:55:16浏览次数:401

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产品简介

福州市便携式绝缘子盐密度测试仪生产工厂HDYM-II便携式绝缘子盐密度测试仪用于电力系统防污闪检测,是测量绝缘子表面等值附盐密度(以下简称“盐密")的测量仪器,同时还可以测量溶液的电导率和温度。整机以其测量精度高、测量范围大、使

详细介绍

一、产品简介

    HDYM-II便携式绝缘子盐密度测试仪用于电力系统防污闪检测,是测量绝缘子表面等值附盐密度(以下简称“盐密”)的测量仪器,同时还可以测量溶液的电导率和温度。整机以其测量精度高、测量范围大、使用方便等特点广泛地应用于电力、教学、科研及其它相关行业。

    污秽等级的划分和污秽等级分布图的绘制是防污闪工作的基础,准确的污秽等级分布图是选择输、变电设备电瓷外绝缘爬距的依据。绝缘子表面等值附盐密度值是判断电瓷外绝缘污秽状况严重程度的定量数据,是划分污秽等级和绘制污区图的重要依据之一。因此,盐密测量工作对电力系统安全运行有着重要的意义。

参照标准:

    GB/T16434 – 1996《高压架空线路和发电厂、变电所环境污秽分级及外绝缘选择标准》

    GB/T16434-200X《污秽条件下高压绝缘子的选择和尺寸确定第1部分:定义、信息和一般原则》

    Q/GDW152-2006《高压架空线路和发电厂、变电所环境污区分级及外绝缘选择标准》

相关术语:

    1、参照盘形悬式绝缘子 reference cap and pin insulator

       XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盘形悬式绝缘子(根据GB/T 7253),通常7~9片组成一串用来测量现场污秽度。

    2、爬电距离 creepage distance

        在两个导电部分之间,沿绝缘体表面的短距离。

        注:水泥或其他非绝缘胶合材料表面不认为是爬电距离的构成部分。如果绝缘子的绝缘件的某些部分覆盖有高电阻层,则该部分应认 为是有效绝缘表面并且沿其上面的距离应包括在爬电距离内。

    3、统一爬电比距 unified specific creepage distance(USCD)

        绝缘子的爬电距离与其两端承担的运行电压(对于交流系统,为相电压)之比,mm/kV。

    4、附盐密度 salt deposit density(SDD)

        人工涂覆于给定绝缘子表面(不包括金属部件和装配材料)上NACL总量除以表面积,mg/cm²。

    5、等值附盐密度 equivalent salt deposit density(ESDD)

        绝缘子单位绝缘表面上的等值附盐量,mg/cm²。

    6、不溶物密度(简称灰密) non soluble deposit density(NSDD)

        绝缘子单位绝缘表面上清洗的非可溶残留物总量除以表面积,mg/cm²。

    7、现场等值盐度 site equivalent salinity(SES)

        根据GB/T 4585进行盐雾试验时的盐度。用该盐度试验,在相同绝缘子和相同电压下,产生的泄露电流峰值与现场自然污秽条件下的泄露电流基本相同。

    8、现场污秽度 site pollution severity(SPS)

        在适当的时间段内测量到的污秽严重程度ESDD/NSDD或SES的大值。

    9、现场污秽度等级 site pollution severity class

        将污秽严重程度从非常轻到非常严重按SPS的分级。

    10、带电系数K1 energy coefficient K1

        同形式绝缘子带电所测ESDD/NSDD(SES)值与非带电所测ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般为1.1~1.5。

二、功能特点

    (1)具有量程自动切换功能,测量速度快(2s/次)。

    (2)测量范围大,盐密范围0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。

    (3)中英文界面可自主切换。

    (4)采用2.8寸真彩液晶屏幕。

    (5)可直接显示盐密度、污秽等级、统一爬电比距。

    (6)自动进行温度补偿,直接显示20℃时的标准电导率和等值附盐(ESDD);

    (7)具有自动祛除原溶液含盐量的功能,降低了对清洗液的要求。

    (8)自动将不带电测量的盐密度(ESDD)转换为带电测量的盐密度(ESDD)。

    (9)可存储10万组记录,并可将记录保存至SD卡在电脑上读取。

    (10)可查阅、删除单条记录,也可删除所有记录。

    (11)内置大容量充电锂电池(2600mAh),适合野外现场使用。

三、产品参数

    3.1 测量范围:

                盐密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型绝缘子为准)

                测量温度:0℃~100℃

                测量电导率:0~200000μs/cm

    3.2 基本误差:

               测量盐密:分辨率0.0001 mg/cm2

               满量程精度:±2%

               测量温度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃

               测量电导率:分辨率0.01μs/cm

    3.3 环境温度:0℃~60℃。

    3.4 环境湿度:  <90%。

    3.5 体积与重量

              手持主机尺寸:长210mm*宽100mm*厚36mm。

              整机机箱尺寸:长335mm*宽260mm*高130mm。

              手持主机重量:约0.5Kg。

              整机重量:约2.5Kg。

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说明一点的是,针对大电容的设备如变压器、电缆等进行tgδ的测量时,只能发现他们的整体分布性缺陷,而其局部集中性的缺陷可能不会被发现;而对于套管、互感器等小电容量的设备,测tgδ能有效地发现其局部集中性和整体分布性的缺陷,详见如下分析。这也是大型变压器不仅要单独测试引出线套管的tgδ,也要测套管连同绕组的介损tgδ,就是因为套管若有缺陷时在整体绝缘良好时不能体现出来。

一般设备的绝缘结构都由多层绝缘、多种材料构成。如局部有缺陷绝缘用C tgδ1表示,其他良好绝缘用C 2tgδ2表示,两部分并联,则有P1 = C tgδ1   P2 = C tgδ2

而总的损耗为P = U2 ωC tgδ  ①

U、ω一定时,P与C、tgδ有关, → P = C tgδ+ C tgδ2  又C = C1  + C2

则  C tgδ+ C tgδ2 = C tgδ

tgδ= (C tgδ+ C tgδ2)/(C1  + C2)   ②

若套管电容C 1= 250PF,tgδ1= 5%           (超差)

而变压器电容C 2= 10000PF,tgδ2= 0.4%      (良好)

从②式可以看出总tgδ= 0.5 %                (合格),可见明显形成了误判断。

设备的选取及常规试验方法:因为精度和灵敏度的原因,测变压器和一般套管的介损时(包括电容式CT),应采用HD6000A光导介损测试仪,而当测试电容式PT电容量和tgδ时,可采用HD6000异频介损测试仪,它介绍了CVT的中压电容C 的测试方法,比较方便(自激法)。两者的原理前者是通过比较内部标准回路电流和被试品的电流的幅值及相互的相差,后者是电桥原理,离散傅立叶算法。一般接线形式主要有二种:正接法:适用于测量两相对地绝缘的设备,测试精度较高,如套管和电容式CT的主绝缘tgδ,耦合电容的的tgδ等;反接法:适用于测量一级接地的设备,仪器的外壳必须接地可靠,如变压器连同套管和绕组的tgδ,套管和电容式CT的末屏tgδ等。另外还有自激法,对角接线等,不同的试验设备均有不同的接线形式,取决于现场环境及标准设备。

需要说明的是现场试验时要创造条件,力求测试精度,如主变高低压侧套管的tgδ测试必须要用正接法,应要求安装单位制作测试平台,以达到两极绝缘的条件。

对于CVT中压电容的tgδ测试,应充分理解仪器的操作程序,按照其说明,操作规程进行试验。福州市便携式绝缘子盐密度测试仪生产工厂福州市便携式绝缘子盐密度测试仪生产工厂

交接规程的一般要求及条款:电力变压器:当电压等级为35KV及以上,且容量在8000KVA以上时,应测试tgδ,其tgδ值不应大于产品出厂试验值的130%,对于300MW或600MW机组的厂高变,一般未达到上述要求,交接试验可不作;但一般厂家出厂试验均有该项目的数据,为充分体现对用户负责的思想,建议测试以便比较,但不出试验报告。互感器:规定了20℃下电流互感器(油纸电容式)的tgδ,220KV≤0.6%,330KV≤0.5,500KV≤0.5。其电容与铭牌差值应在±10%之内,只针对主绝缘。而电压互感器只规定了35KV及以上油浸式的tgδ值,35KV的20℃时≤3.5%,35KV以上的不应大于出厂值的130%。套管:现场一般有油纸电容式,20-500KV下,tgδ≤0.7%,电容差值在±10%范围内。说明一点,不管电容式CT还是电容式套管,都会有末屏,应在测主绝缘tgδ之

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