详细介绍 ·技术优势 中心传感单元采用高精度硅技术，铂金级精度 ±0.05% 双过载保护膜片设计，单向过压可达40MPa 优异的静压性能，远非同场合电容式产品所能媲比，静压误差可控制在±0.05%/10MPa以内 100:1的量程比调节 EMC符合GB/T 18268.1-2008 ·技术参数 参数 最小 测量范围（未迁移） 400Pa 4000kPa 量程比 10：1 100：1 环境温度 -40℃ +85℃ 温度影响量 -20℃～65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span ±0.04%×Span(TD=1)/10℃ -40℃～-20℃ & 65℃～85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span 准确度等级 ±0.05% / ±0.1% 长期漂移 ±0.1%×Span/ 3年 组态属性 线性/ 平方根/ 自由编程 重量 3.3kg 总线标准 4～20mA/HART
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