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详细介绍
专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。
特点
1.新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
2.用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
3.采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
| 福州精科仪器仪表有限公司 |
| 参考价 | 面议 |
更新时间：2023-11-30 19:24:43浏览次数：141
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专门为电子束敏感样品和需300万倍稳定观察的*半导体器件，高分辨成像所设计。
特点
1.新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
2.用改良的高真空性能和的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
3.采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
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