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详细介绍
一、概述：
这款配置的高真空CVD系统集快速红外加热炉，2通道气路系统和低真空系统组成。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。本套系统用于CVD退火，也可以应用于于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
二、主要技术参数
1200加热炉 | 电压 | AC380V 50/60Hz |
功率 | 24KW | |
加热区长 | 400mm | |
使用温度 | 1100℃ | |
工作温度 | ≤1000℃ | |
升温速率： | ≤600℃/min | |
温控系统 | PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率， 30段可编程控制器， | |
恒温精度 | ±5 | |
石英管 | Φ50/60/80/100*1400mm | |
两路质量流量控制系统 | 电压 | 185~24V/50Hz |
输出功率： | 18W | |
流量计标准量程 | 300SCCM | |
工作温度： | 5~45 oC | |
工作压差： | 0.1～0.5 MPa | |
压力： | 3Mpa | |
准确度： | ±1.5% FS | |
真空系统 | 1.采用双极旋片真空泵，真空度可达5×10-1 Torr不锈钢充油真空压力表，良好的抗震性 2.安装过滤器 | |
法兰及支撑 | 304不锈钢快速水冷法兰，长期水冷无腐蚀一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑 包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合，4个密封硅胶圈等 | |
可选配件 | 混气系统,中、高真空系统，各种刚玉坩埚，石英管，计算机控制软件，无纸记录仪，氧含量分析仪，冷却水循环机等。 | |
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