详细介绍
一、应用领域:
该设备为高真空ITO箱式镀膜设备,主要用于沉积AZO、GZO等系列透明导电膜,金属薄膜,半导体薄膜等,也可用于其他功能性薄膜的沉积。
1. 系统可实现ITO、AZO、GZO等系列透明导电膜的研究与工艺探索;
2. 可以完成单金属、合金、多层膜的溅射沉积;
3. 可以完成氧化物、氮化物、碳化物等介质膜的反应溅射沉积;
4. 可以实现SiO2、Al2O3等绝缘材料的溅射沉积;
5. 可以进行含有上述多层膜的功能膜研究开发;
二、性能参数:
1、双腔室结构(含工艺腔室及进出样室);
2、溅射样品尺寸约450×250mm;
3、磁控溅射靶四支,其中两支为孪生靶,控制电源为两套直流电源和一套中频电源;
4、配三路气体及相应流量控制器;
5、配备轴向线性往复运动样品台;
6、在线膜厚检测装置;
7、加热及温控系统,保证腔室能够加热至500℃;