A20B-8100-0861

    在集成电路工艺中，实现夹层电阻有很多种方法。本文研究的夹层电阻就是其中的一种，它不需要通过额外增加光刻MASK层就能实现。图1为该夹层电阻的平面示意图。图1中，夹层电阻区为低浓度的P型注入区，它主要利用工艺中的现有层次实现，比如Pbase层或者Pbody层。该P型夹层电阻区被N+和N阱*包围，因此该结构就是一个被N+和N阱两个层次夹在中间的P型夹层电阻。

A20B-8100-0470
A20B-8100-0721
A20B-8100-0861
A20B-8100-0762
A20B-8100-0851
A20B-8100-0620
A20B-8100-0880

   在集成电路的线路设计中，特别是模拟电路的设计中，A20B-8100-0861不可避免地都会需要用到电阻。对于低阻值的应用，一般可以用铝线电阻、多晶电阻、N+电阻或者P+电阻等实现。对于更大一点的电阻，则可以用N阱电阻、P阱电阻或者高阻多晶等实现。对于更高阻值要求，或者阻值要求高但是占用面积要小且精度要求不高，这时候可以用倒比的MOS管或者夹层电阻来实现。顾名思义，夹层电阻就是被其他层次夹在中间的电阻，夹层电阻的方块阻值一般在5~50 kΩ，随着电压的提高，还可以到100 kΩ或更高。

A20B-8100-0880
A20B-8100-0620
A20B-8100-0721

A20B-8100-0450
A20B-8100-0470
A20B-8100-0762
A20B-8100-0851