详细介绍
产品概述
OPTM 系列显微分光膜厚仪
头部集成了薄膜厚度测量所需功能
通过显微光谱法测量高精度反射率(多层膜厚度,光学常数)
1点1秒高速测量
显微分光下广范围的光学系统(紫外至近红外)
区域传感器的安全机制
易于分析向导,初学者也能够进行光学常数分析
独立测量头对应各种inline客制化需求
支持各种自定义
OPTM 系列显微分光膜厚仪选型表
OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 | |
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波長范围 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
膜厚范围 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
测定时间 | 1秒 / 1点 | ||
光斑大小 | 10μm (*小约5μm) | ||
感光元件 | CCD | InGaAs | |
光源規格 | 氘灯+卤素灯 | 卤素灯 | |
电源規格 | AC100V±10V 750VA(自动样品台规格) | ||
尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自动样品台规格之主体部分) | ||
重量 | 约 55kg(自动样品台规格之主体部分) |
测量项目:
反射率测量
多层膜解析
光学常数分析(n:折射率,k:消光系数)
测量示例:SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚测量
半导体晶体管通过控制电流的导通状态来发送信号,但是为了防止电流泄漏和另一个晶体管的电流流过任意路径,有必要隔离晶体管,埋入绝缘膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于绝缘膜。 SiO 2用作绝缘膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介电常数的绝缘膜,或是作为通过CMP去除SiO 2的不必要的阻挡层。之后SiN也被去除。 为了绝缘膜的性能和精确的工艺控制,有必要测量这些膜厚度。