产品展厅收藏该商铺

您好 登录 注册

当前位置:
北京卓立汉光仪器有限公司>>光电模组>>DInGaAs(x)-TETE制冷型铟镓砷探测器(DInGaAs探测器)

TE制冷型铟镓砷探测器(DInGaAs探测器)

返回列表页
  • TE制冷型铟镓砷探测器(DInGaAs探测器)

收藏
举报
参考价 面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号 DInGaAs(x)-TE
  • 品牌
  • 厂商性质 其他
  • 所在地

在线询价 收藏产品 加入对比

更新时间:2021-08-12 15:58:50浏览次数:229

联系我们时请说明是制药网上看到的信息,谢谢!

联系方式:兼职查看联系方式

产品简介

TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计,其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。

详细介绍

产品概述

TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计,其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。

光谱响应度曲线参考图(虚线为某款国产InGaAs对比曲线)
 
铟镓砷探测器使用建议:
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
 
■ DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
 
■ 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
 
型号/参数DInGaAs1700-TEDInGaAs2600-TEDInGaAs2600H-TE

光敏面直径(mm)

3

3

3

波长范围(nm)

800-1700

800-2600

800-2600

峰值响应度(A/W)

0.9

1.2

1.3

D*(典型值)

8.4×1013

44.9×1011

4.5×1011

NEP(典型值)

3.2×10-15

5.5×10-13

6×10-13

温控器型号

ZTC

ZTC

ZTC-H

探测器温度(℃)

-40

-40

-20

温度稳定度(℃)

±0.5

±0.5

±0.5

环境温度(℃)

+10~+40

+10~+40

+10~+40

信号输出模式

电流

电流

电流

输出信号极性

正(P)

正(P)

正(P)

匹配前置放大器型号

ZPA-7

ZPA-7

Preamplifier

 
 
 

收藏该商铺

登录 后再收藏

提示

您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~

对比框

产品对比 二维码 意见反馈

扫一扫访问手机商铺
在线留言