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详细介绍
产品概述
砷化铟探测器（InAs探测器）使用建议：
■ DInAs3800-TE为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
■ DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
■ 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，使用在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制，ZTC型提供二级制冷功率，不可调整。
■ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。
型号列表及主要技术指标：
| 型号/参数 | DInAs3800-TE |
光敏面直径(mm) | 2 |
波长范围(µm) | 1-3.8 |
峰值响应度(A/W) | 1.5 |
D*(@λpeak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 | 9.1×1012 |
NEP(@λpeak,1KHz)pW/Hz1/2 | 4.4 |
温控器型号 | ZTC |
探测器温度(℃) | -40 |
温度稳定度(℃) | ±0.5 |
信号输出模式 | 电流 |
输出信号极性 | 正（P） |
制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） | |
| 推荐使用前置放大器型号：ZAMP | |
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