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深圳市华科智源科技有限公司>>IGBT测试仪>>IGBT动态参数测试仪>>HUSTEC-6030大功率IGBT动态参数测试仪-华科智源

大功率IGBT动态参数测试仪-华科智源

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具体成交价以合同协议为准
  • 型号 HUSTEC-6030
  • 品牌
  • 厂商性质 生产商
  • 所在地 深圳市

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更新时间:2019-11-27 19:04:42浏览次数:491

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产品简介

华科智源大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪,适用于芯片设计,产线封装测试及新能源汽车,风力发电,地铁交通等领域的大功率器件及模块测试,设备模块化程度高,测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。大功率IGBT动态参数测试仪-华科智源

详细介绍

品牌 :

华科智源

型号 :

HUSTEC-2015

加工定制 :

类型 :

电参数测试仪

测量范围 :

电压2000V,电流1000A

精确度 :

正负1%精度

仪表尺寸 :

800*600*1800

适用范围 :

在线检修,来料检验,失效分析

仪表重量 :

100kg

工作电源 :

220V

规格 :

IGBT动态参数测试仪

测量精度 :

正负%1精度测量

功率 :

300W

频率 :

50Hz

产品详情 大功率IGBT动态参数测试仪-华科智源

Product details

华科智源大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪,适用于芯片设计,产线封装测试及新能源汽车,风力发电,地铁交通等领域的大功率器件及模块测试,设备模块化程度高,测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。

 

测试系统以2000A为一个电流模块,以1500V为一个电压模块,电流电压可升级;

1范围

华科智源大功率IGBT测试系统技术规范提出的是限度的要求,并未对所有技术细节作出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,供货方应提供符合工业标准和本技术规范的优质产品。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不*时,应按较高标准执行。

2应遵循的主要现行标准 大功率IGBT动态参数测试仪-华科智源

华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪,功率半导体模块测试系统的设计、制造、检查、试验等遵循如下国内标准,但不限于以下标准。

GB 13869-2008 用电安全导则

GB19517-2004  国家电器设备安全技术规范

GB/T 15153.1-1998 运动设备及系统

GB 4208-2008 外壳防护等级(IP代码)(IEC 60529:2001,IDT)

GB/T 191-2008 包装储运图示标志

GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件

GB/T 2423 电工电子产品环境试验

GB/T 3797-2005 电气控制设备

GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用

GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则

GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制

GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器

GB/T 311.1 绝缘配合第1部分:定义、原则和规则

IEC 60747-2/GB/T 4023-1997      半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

IEC 60747-9:2007/GB/T 29332-2012     半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

 

 

3技术要求

3.1整体技术指标

3.1.1 功能与测试对象

*1)功能

华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪,测试单元具备测试IGBT模块动态参数测试。具体测试参数及指标详见表格411。

*2)测试对象

被测器件主要IGBT模块。

3.1.2  IGBT模块动态测试参数及指标

华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪,测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足标准IEC60747-9以及IEC60747-2。如有其他需求,可自行定义

以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

1)图2 IGBT开通过程及其参数定义动态测试参数

IGBT的开通和关断波形及其相关参数的定义如图2、图3所示。

图2 IGBT开通过程及其参数定义

 

图3 IGBT关断过程及其参数定义

 

表格2 可测量的IGBT动态参数

参数名称

符号

参数名称

符号

开通延迟时间

td(on)

关断延迟时间

td(off)

上升时间

tr

下降时间

tf

开通时间

ton

关断时间

toff

开通损耗

Eon

关断损耗

Eoff

栅极电荷

Qg

拖尾时间

tz

短路电流

ISC

/

/

可测量的FRD动态参数

参数名称

符号

参数名称

符号

反向恢复电流

IRM

反向恢复电荷

Qrr

反向恢复时间

trr

反向恢复损耗

Erec

 3.1.华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪反偏安全工作区参数及指标

3.1.4华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪保护安全功能

本测试单元应具备完善的保护功能,除可有效保护操作人员不受事故伤害外,还在发生故障时不会造成设备自身的较大损坏,通过采取更换小型部件的方式即可修复。保护功能包括但不限于如下功能:

l *高压测试前可选低压预测试验证系统安全及连接良好

l *完备的人身安全防护

l 测试结束电容自动放电

l 测试过程中短路保护(非短路测试)

l *被测器件防爆保护

 

3.2华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪测试单元组成

本测试单元包括动态参数测试部分,主要组成材料及其要求如下所示。

3.2.1 华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪动态参数测试部分主要材料清单

表格12动态参数测试部分组成

序号

组成部分

单位

数量

1

可调充电电源

1

2

直流电容器

8

3

动态测试负载电感

1

4

安全工作区测试负载电感

1

5

补充充电回路限流电感L

1

6

短路保护放电回路

1

7

正常放电回路

1

8

高压大功率开关

5

9

尖峰抑制电容

1

10

主回路正向导通晶闸管

2

11

动态测试续流二极管

2

12

安全工作区测试续流二极管

3

13

被测器件旁路开关

1

14

工控机及操作系统

1

15

数据采集与处理单元

1

16

机柜及其面板

1

17

压接夹具及其配套系统

1

18

加热装置

1

19

其他辅件

1

 

3.3主要技术要求

3.3.1 华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1) 海拔高度:海拔不超过1000m;

2) 温度:储存环境温度 -2060;

3) 工作环境温度: -540;

4) 湿度:20RH 至 90RH (无凝露,湿球温度计温度: 40以下);

5) 震动:抗地震能力按7级设防,地面抗震动能力0.5g;

6) 防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;

3.3.1.2华科智源大功率IGBT测试系统,IGBT动态参数测试仪

华科智源大功率IGBT测试系统设备主要针对IGBT及MOS管的测试仪,适用于芯片设计,产线封装测试及新能源汽车,风力发电,地铁交通等领域的大功率器件及模块测试,设备模块化程度高,测试稳定性及测试精度在客户端已经广泛使用。可以根据就用户需求进行定制。华科智源专业提供动态参数测试|IGBT测试仪|雪崩能量测试仪|IPM测试仪|分立器件测试系统

 

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