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详细介绍
HUSTEC-1600A-MT
大功率IGBT测试设备
Power Device Static Parameter Tester
大功率IGBT测试设备产品简介 Introducion
HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件参数测试仪，可用于IGBT单管及模块，SIC器件，MOS管，二极管等功率器件的静态参数测试。
产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容，可升级到3KA/10KV.
VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；
采用插槽式设计结构，便于升级和维护；
设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，
自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度
支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；同一规格型号，不同批次的产品曲线对比，同一规格，不同厂家之家的产品曲线对比
开放通讯接口，可以连接探针台做wafer / chip 测试，也可以连接HANDLE,夹具及适配器做模块测试,
测试数据可存储为Excel文件，WORD报告
技术指标 Technical Specifications
技术指标 | |||
★ | 3.4 | VGE(th)栅极阈值电压 | VGE：0.1～10V±1%±0.01V； |
3.5 | VGE(th) 测试条件与精度 | 集电极电流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA； | |
★ | 3.6 | VCES集射极截止电压 | VCES：0-5000V±1%±2V； |
3.7 | VCES 测试条件与精度 | 集电极电流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； | |
★ | 3.8 | ICES集射极截止电流 | 集电极电流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； |
3.9 | ICES 测试条件与精度 | 集电极电压VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V； | |
★ | 3.10 | VCE(sat)饱和导通压降 | 集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V |
3.11 | VCE(sat) 测试条件与精度
| 栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V 集电极电流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A； | |
★ | 3.12 | Iges栅极漏电流 | 栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA |
3.13 | Iges测试条件与精度 | 栅极电压Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V； | |
★ | 3.14 | VF正向特性测试 | 二极管导通电压Vf：0.1～10V±1%±0.01V |
3.15 | VF正向特性测试 测试条件与精度 | 电流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；
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