半导体泵浦激光原理实验装置

编号

名称

规格

件数

1

导轨主体

长1m，硬铝型材

1

2

808半导体激光器

连续输出功率：500mW，中心波长：808±10nm，
    偏振态：TE

1

3

氦氖激光器

632.8nm，功率≤1mW

1

4

红外显示卡

可观察0.7~1.6μm的近红外光

1

5

KTP晶体

透过波段：0.35~4.5μm，电光系数：γ33=36Pm/V

1

6

Nd:YVO4晶体

掺Nd3+浓度0.1~3.0 atm%，平面度<λ/10@632.8nm
    镀膜：AR@1064nm，R<0.1%，HT@808nm，T>90%

1

7

光学元件

输出镜（R=50mm），滤光片

各1

8

光功率测试仪

2μW、20μW、200μW、2mW、
    20mW、200mW六档功率范围3位半数字显示器

1

9

其他

光源架，四维调节架，二维调节架，光靶