美国 MMR 霍尔效应测量系统 H5000

美国 MMR 霍尔效应测量系统 H5000

美国 MMR 公司，与斯坦福大学合作开发了的致冷器，其具有小的震动(埃米级别)、宽控温范围(70~730K)及高温度稳定性(0.1K)，并将其应用在以下测量系统，提高了系统的整体性能。 各个系统均采用模块设计，客户可根据实际要求配置系统，也方便日后升级。

霍尔效应测量系统主要用于研究光电材料的电学特性，利用范德堡测量技术测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型。整套系统主要包括控制器、样品室、磁场三部分。

主要参数：

1. 样品固定方式：弹簧探针或引线治具

2. 温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）

3. 磁场：5000Gauss 永磁铁，5000Gauss 电磁场， 1.4T 电磁场（可选）

4. 温度稳定度：<=0.1K

5. 温度响应：1K/sec

6. 致冷片：10X14 mm

7. 电阻率：10-4~1013 Ohm*cm

8. 载流子迁移率：1~107 cm2/volt*sec

9. 载流子浓度：103~1019cm-3

10. 电流范围：1 pA~100mA

11. 电压范围：+/-2.4V，最小可测到 6X10-6 V

12. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

参考客户： Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD，中科院，深圳大学，华南理工大学，上海光机所，上海微系统所，四川大学，上海交通大学，常州大学，东北大学，厦门大学，新疆理化研究所，北京物理所等。