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紫外光刻胶(Photoresist)

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更新时间:2021-07-22 20:49:26浏览次数:22

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产品简介

德国Allresist紫外光刻胶(Photoresist) 各种工艺:喷涂专用胶,化学放大胶,lift-off 胶,图形反转胶,高分辨率胶,LIGA 用胶等。 各种波长: 深紫外(Deep UV)、I 线(i-line)、G 线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。 各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。

详细介绍

德国Allresist 紫外光刻胶(Photoresist

类型

型号

特性

正胶

AR-P 1200

适合喷涂(Spray Coating)的正性光刻胶,高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面,可用于复杂工艺。

AR-P 3100

高灵敏度光刻胶.胶膜薄且均匀. 在玻璃和镀铬表面附着力好,可用于光学器件加工,掩膜制作等。另有,AR-P 3170 可以做出 100nm,甚至更小的线条(几十纳米)。

AR-P 3200

黏度大,可得到厚胶膜,厚度可达几十微米,甚至上百微米。胶膜覆盖能力好,适合粗糙的 Wafer 表面涂胶,可很好的保护结构边缘。图形剖面边缘陡直。适合做LIGA或电镀工艺等。

AR-P 3500
AR-P 3500T

于集成电路制造中的掩膜加工。 高敏感、高分辨率且在金属和氧化物表面附着力好。其中,AR-P 3500T是针对 AR-P 3500 系列进行优化,而新研制的一种光刻胶;性能和AR-P 3500相似,同时还具备了良好的耐等离子刻蚀性能,以及大的工艺宽容度。

AR-P 3740
AR-P 3840

高分辨率光刻胶,制作亚微米结构,适于高集成电路制作。光刻胶表面平整均匀,高敏感度、高对比、工艺宽容度大。 AR-P 3840为染色的光刻胶,可以降低驻波和散射等的影响。

AR-P 5300

Lift-off工艺用胶,利用普通的光刻工艺便可很容易得进行剥离工艺。高敏感、高分辨率, 且与金属和氧化物表面附着良好。

图像反转胶

AR-U 4000

图形反转胶,通过调整工艺参数可实现正胶或负胶性能。图形反转工艺后,光刻胶呈现负胶性能,可以得到非常明星的倒梯形结果,用于lift-off工艺。

负胶

AR-N 2200

适合喷涂的负性光刻胶,高灵敏度。胶层表面非常平整,且可很好的保护粗糙的衬底表面,可用于复杂工艺。

AR-N 4240

紫外、深紫外曝光,可做lift-off工艺。 i线、深紫外曝光。适合制作亚微米图形,专为满足先进集成电路制造中的关键工艺要求而设计。良好的耐等离子体刻蚀性能,在金属和氧化物表面的附着力好,并可用于lift-off工艺。

AR-N 4340

化学放大胶,紫外曝光,可做lift-off工艺。 i线、g线曝光。化学放大胶,高灵敏度,高分辨率,高对比度,在金属和氧化物表面附着力好,可用于lift-off工艺。

AR-N 4400

厚胶,化学放大胶,可以做lift-off工艺。 i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米,覆盖能力好,可用于表面粗糙的wafer表面涂覆,且剖面陡直,高分辨率。化学放大胶,灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。 采用碱性水溶液显影,除胶非常容易,可以替代传统的SU8胶。

SX AR-N 4600-10/3
SX AR-N 4650-10/4
NEW!

紫外负胶(厚胶),适用于LIGA及MEMS应用,涂胶厚度 10um@1000rpm。SX AR-N 4600-10/3 : 结构稳定性好、重复性好,厚度可达几百微米,适用于保留胶体结构的应用,SX AR-N 4650-10/4 : 容易去胶,适合于电铸工艺。

配套试剂
Process chemicals

类型

型号

特性

显影液

AR 300-26, -35

紫外光刻胶用 显影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/电子束光刻胶用 显影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA胶用 显影液

定影液

AR 600-60,-61

电子束光刻胶用 定影液

除胶剂

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

稀释剂

AR 600-01…09

PMMA胶 稀释剂

AR 300-12

紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

增附剂

AR 300-80, HMDS

紫外/电子束光刻胶用 增附剂

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