第三代半导体材料性能分析高压电源3500V 返回列表页

第三代半导体材料性能分析高压电源3500V特点和优势：

十ms级的上升沿和下降沿；

单台Z大3500V的输出；

0.1%测试精度；

同步电流或电压测量；

支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详情上普赛斯仪表官&网咨询

产品简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

更多有关第三代半导体材料性能分析高压电源3500V详情上普赛斯仪表官&网咨询，武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型G新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。