哈氏合金单晶硅差压传感器 返回列表页

PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金单晶硅差压传感器采用进口先进MEMS技术制成的单晶硅传感器芯片，内嵌高品质测压膜盒和信号处理模块，是基于被测压力直接作用于传感器正负压腔的膜片上，使膜片产生与压力成正比例关系的微位移，并将该压力差传递至单晶硅芯片两端，通过集成电路监测该位移变化，并转换输出一个相应压力差的的标准测量信号。
传感器具有超高过压性能及良好的温度补偿，安装便捷，具有良好的环境适应性，可广泛用于各类工控环境。

单晶硅差压传感器特点：

1.采用进口FST单晶硅MEMS芯片进行封装，产品具有超高精度，可达0.04%FS
2.具有优异的过压性能
3.可用于负压力测量
4.智能静压补偿和温度补偿，环境适应性强

单晶硅差压传感器技术规格：

差压传感器尺寸图