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详细介绍
MPCVD-50简介
化学气相沉积CVD系统设计用于多种用途，例如，在粉末材料上进行碳涂层，用氨气掺杂氮气，合成层状物质（例如2DMoS2f膜），合成纳米碳材料（例如CNT和石墨烯）。
特征
- 配备液体燃料（乙醇）的导入单元，以适应无法设置氢气的情况
- 配备3-line质量流量气体控制器
- 配备真空系统，可用于真空工艺
- 紧凑而稳定，可以放在桌子上
- 扩展性好，适用于各种CVD工艺
MPCVD-Powder简介
化学气相沉积CVD系统设计用于在粉末Si材料（通常用作锂电池的负极）上覆盖碳膜。通过在化学气相沉积CVD过程中旋转反应石英管，可以搅拌粉末样品，从而可以均匀沉积碳膜。
特征
- 石英管可以通过电机驱动的旋转装置旋转
- 旋转速度可以在不同的水平上进行调节
- 均匀的碳膜可以沉积在粉末硅或陶瓷材料上
- 其他功能将类似于MPCVD-50
MPCVD-Slide 简介
化学气相沉积CVD系统设计为通过配备滑动炉和长反应石英管来实现批量生产。预先在长反应管中放置大量样品，然后炉子沿电动机驱动的石英管连续割草，以使所有样品在相同的化学气相沉积CVD条件下连续受到CVD的作用。
特征
- 在不依赖于上游流或下游流的情况下，实现均匀的涂层
- 电机驱动的滑动控制单元和滑动速度可调
- 易于收集处理过的样品而不会丢失
MPCVD-Graphene 简介
一种炉式热化学气相沉积CVD系统，配备基于快速将炉滑出热区的快速加热/冷却机制，旨在让用户在基底（Ni或Cu箔）以及CNTforests或CNT上生长石墨烯膜粉末。
特征
- 配有炉子滑动机构，可快速加热/冷却样品
- 配备一个特殊的热电偶传感器，可直接监控样品温度
- 配备三个流量气体控制器
- 紧凑的尺寸，稳定的底盘
- 也可以合成其他碳纳米材料（碳纳米管，碳微线圈）
MPCVD-Plasma简介
在上游装有RF线圈的热化学气相沉积CVD系统，可有效地使输入气体或前体离子化，并有助于有效的化学气相沉积CVD反应。
MPCVD-Laser 简介
原始样品室充满了特殊的气体（N2，C2H2或H2或NH3等），被应用于商用光纤激光雕刻机，以按照您设计的图案进行特殊的表面处理。
- 当C2H2填充到腔室中时，碳膜可以沉积在基板上。
- 当将NH 3填充到腔室内时，将形成氮化膜。
- 当H2填充到腔室中时，氧化物可以在表面还原。
- 当N2填充到腔室中时，可以在激光处理过程中避免氧化。
样品室的窗口对光纤激光束是透明的。
MPCVD-ZnO 简介
炉型热化学气相沉积CVD系统，用于在基板上形成ZnO纳米棒。
特征
- 工艺条件和系统设计基于*的增长机制
- 垂直排列的ZnO纳米棒可以在蓝宝石或Si衬底上生长
- 结构紧凑
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