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现代传感器技术的发展趋势和应用前景
对比传感器技术的发展历史与研究现状可以看出，随着科学技术的迅猛发展以及相关条件的日趋成熟，传感器技术逐渐受到了更多人士的高度重视。当今传感器技术的研究与发展，特别是基于光电通信和生物学原理的新型传感器技术的发展，已成为推动国家乃至世界信息化产业进步的重要标志与动力。
由于传感器具有频率响应、阶跃响应等动态特性以及诸如漂移、重复性、精确度、灵敏度、分辨率、线性度等静态特性，所以外界因素的改变与动荡必然会造成传感器自身特性的不稳定，从而给其实际应用造成较大影响。这就要求我们针对传感器的工作原理和结构，在不同场合对传感器规定相应的基本要求，以zui大程度优化其性能参数与指标，如高灵敏度、抗干扰的稳定性、线性、容易调节、高精度、无迟滞性、工作寿命长、可重复性、抗老化、高响应速率、抗环境影响、互换性、低成本、宽测量范围、小尺寸、重量轻和高强度等。
同时，根据对国内外传感器技术的研究现状分析以及对传感器各性能参数的理想化要求，现代传感器技术的发展趋势可以从四个方面分析与概括：一是开发新材料的开发与应用；二是实现传感器集成化、多功能化及智能化；三是实现传感技术硬件系统与元器件的微小型化；四是通过传感器与其它学科的交叉整合，实现无线网络化。
4.1 新材料的开发、应用
材料是传感器技术的重要基础和前提，是传感器技术升级的重要支撑，因而传感器技术的发展必然要求加大新材料的研制力度。事实上由于材料科学的不断发展，传感器材料的不断得到更新，品种不断得到丰富，目前除传统的半导体材料、陶瓷材料、光导材料、超导材料以外，新型的纳米材料的诞生有利于传感器向微型方向发展，随着科学技术的不断进步将有更多的新型材料诞生。
半导体材料在敏感技术中占有较大的技术优势，半导体传感器不仅灵敏度高、响应速度快、体积小、质量轻，且便于实现集成化，在今后的一个时期，仍占有主要地位。
以一定化学成分组成、经过成型及烧结的功能陶瓷材料，其zui大的特点是耐热性，在敏感技术发展中具有很大的潜力。
此外，采用功能金属、功能有机聚合物、非晶态材料、固体材料、薄膜材料等，都可进一步提高传感器的产品质量及降低生产成本。
供应德国HBM传感器悬臂梁式HLC系列
HLCA1D1/220KG，HLCA1D1/550KG，HLCA1D1/1.1T，HLCA1D1/1.76T，HLCA1D1/2.2T，HLCA1D1/4.4T
HLCA1C3/220KG，HLCA1C3/550KG，HLCA1C3/1.1T，HLCA1C3/1.76T，HLCA1C3/2.2T，HLCA1C3/4.4T
HLCB1C3/220KG，HLCB1C3/550KG，HLCB1C3/1.1T，HLCB1C3/1.76T，HLCB1C3/2.2T，HLCB1C3/4.4T
HLCB1C4/220KG，HLCB1C4/550KG，HLCB1C4/1.1T，HLCB1C6/220KG，HLCB1C6/550KG，HLCB1C6/1.1T
HLCB1D1/220KG，HLCB1D1/550KG，HLCB1D1/1.1T，HLCB1D1/1.76T，HLCB1D1/2.2T，HLCB1D1/4.4T
HLCB1D1/10T，HLCB2C3/220KG，HLCB2C3/550KG，HLCB2C3/1.1T，HLCB2C3/1.76T，HLCB2C3/2.2T
HLCB2C3/4.4T，HLCF1C3/220KG，HLCF1C3/550KG，HLCF1C3/1.1T，HLCF1C3/1.76T
供应德国HBM传感器扭环式RTN系列
RTN 0.05/1t RTN 0.05/2.2t RTN 0.05/4.7t RTN 0.05/10t
RTN 0.05/15t RTN 0.05/22t RTN 0,05/33t RTN 0,05/47t
RTN 0.05/68t RTN 0.05/100t RTN 0,05/150t RTN 0,05/220t
RTN 0.05/330t RTN 0.05/470t
RTN C3/1t RTN C3/2.2t RTN C3/4.7t RTN C3/10t RTN C3/15t
RTN C3/22t RTN C3/33t RTN C3/47t RTN C3/68t RTN C3/100t
RTN C3/150t RTN C3/220t RTN C3/330t RTN C3/470t
传感器的基座应变灵敏度
传感器受被测物体在传感器安装处应变的影响，可能导致传感器输出的变化。传感器的基座应变灵敏度一般由传感器基座刚度，传感器与被测件的接触面积以及敏感芯体结构设计形式所决定。剪切结构形式的敏感芯体与传感器基座间的接触面积很小，因而剪切芯体受基座应变的作用也相对较小，且这种应变并不直接导致压电陶瓷的输出。所以剪切敏感芯体传感器的基座应变灵敏度指标通常比压缩式的要好，在无需改变传感器的基座刚度以及与被测件的接触面积情况下（改变这两点都将影响传感器的频率响应指标），剪切型传感器一般都能满足大部分结构测量的要求。
声场和磁场对传感器的影响
声波和磁场对传感器的作用也都可能引起信号输出，这种输出的大小与传感器灵敏度的比值被称作为压电传感器的声灵敏度和磁灵敏度。
声灵敏度是表示传感器在强声场的作用下，加速度传感器的输出值。加速度信号输出主要是声波通过对传感器外壳体的作用，再由外壳体传输给内部的敏感芯体而导致的信号输出。zui直接减小传感器声灵敏度的方法是增加传感器外壳的厚度，绝大多数传感器的这一指标都能满足通常的测量条件。
磁灵敏度是表示传感器在强交变磁场作用下，加速度传感器的输出值。传感器内部敏感芯体受磁力的作用而导致信号输出是传感器产生磁灵敏度的基本原因。因此在传感器设计中，金属零部件尽量采用无磁或弱磁的材料是降低传感器磁灵敏度zui直接的措施。另外双层屏蔽壳结构形式也能较好地减小传感器的磁灵敏度，同时双层屏蔽壳形式还能有效地防止磁场对输出电信号的干扰。
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