hustec-2005 半导体分立器件测试系统
华科智源-MOS管测试仪 分立器件检测仪
基础配置：
技术参数 | E |
主极电流 | 100nA-50A |
扩展电流 | 100A、500A、1000A、1300A |
电压分辨率 | 1mV |
电流分辨率 | 1nA(可扩展至10pA) |
测试精度 | 0.2%+2LSB |
测试速度 | 0.5mS/参数 |
分立器件测试仪测试参数：华科智源-MOS管测试仪 分立器件检测仪
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、
导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO (Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
分立器件测试仪系统特征：华科智源-MOS管测试仪 分立器件检测仪
● 测试范围广（19大类，27分类）
● 采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS
● 被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏
● 真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际值偏差很大）
● 系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障
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