IGBT静态测试仪参数
参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICES IGESF IGESR | 0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)（2） | 100nA(100pA)（1） - 50mA 100nA(100pA)（1）- 3A | 1nA(50pA)（1） | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)（1） |
BVCES | 0.1V-1000V- 1400V - 1600V | 100μA - 200mA -100mA -50mA | 5mV | 1%＋100mV |
VGETH | 0.10V- 20.0V(80V)（2） | 100nA- 3A | 5mV | 1%+10mV |
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) | VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V | IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A | 5mV | V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
IGBT静态测试仪 主要特征简述：
1、半导体分立器件测试仪产品目前已通过国内两家计量站的综合检测认定。经过与国内其他测试系统对比使用，测试系统在系统硬件的可靠性、稳定性、功率范围、测试范围、系统测试精度、测试参数的一致性等多项指标已远远超过国内产品。 测试系统目前是国内的半导体分立器件测试测试仪器。
2、作为精密仪器引进项目，系统严格按照产品之标准，全部选用可靠的元器件。系统严格按照检验标准进行测试检验，确保系统的稳定性和可靠性。所使用的各种继电器，全部采用国外公司生产的水银继电器，从而大大提高了系统的测试速度，提高了系统的使用寿命。
3、服务周到是我公司的优势之一。选用本系统，我们的服务可以在一小时内答复解决方案，到达用户现场当天解决系统出现的所有问题。
4、在实际操作中，可真实达到电压2000V、电流50A的测试条件。在极限值条件下测试，系统同样保持高精度和良好的重复性、稳定性。。
5、本系统测试原理和方法符合国家相关规范和标准。
6、大功率器件测试采用脉冲法测试，脉冲宽度为规定的300uS。
7、系统硬件设计，升级能力强。为用户今后做系统升级提供了有力的技术保障。系统硬件支持电压升级到5000V，电流升级到1250A。
8、系统采用嵌入式计算机结构，可以实现脱机测试功能。提高了系统的可靠性和使用灵活性。
9、系统和测试夹具全部采用多级开尔文技术，采用无电缆连接设计结构，保证测试结果准确可靠。各种测试夹具均由高级器件插座和高级插头采用开尔文技术连接装配，不仅确保长寿命工作，可靠性*，*使用寿命在5X106次以上。使测试数据更加准确无误。
10、系统具有被测器件引腿接触自动判断功能。遇到器件接触不良时系统自动停止对被测器件测试，可确保被测器件不受损坏。
11、真正的动态跨导测试。（国内其他系统采用直流方法测动态跨导，测试结果与器件实际值偏差很大）。
12、二极管极性自动判别测试功能，不需人工判别极性测试，方便操作。
13、具有单参数测试延时编程功能，用户可根据不同器件要求选择延迟时间，增强参数测试稳定性。
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