TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计,其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。

光谱响应度曲线参考图(虚线为某款国产InGaAs对比曲线)
型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs2600-TE | DInGaAs2600H-TE |
光敏面直径(mm) | 3 | 3 | 3 |
波长范围(nm) | 800-1700 | 800-2600 | 800-2600 |
峰值响应度(A/W) | 0.9 | 1.2 | 1.3 |
D*(典型值) | 8.4×1013 | 44.9×1011 | 4.5×1011 |
NEP(典型值) | 3.2×10-15 | 5.5×10-13 | 6×10-13 |
温控器型号 | ZTC | ZTC | ZTC-H |
探测器温度(℃) | -40 | -40 | -20 |
温度稳定度(℃) | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
环境温度(℃) | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 |
输出信号极性 | 正(P) | 正(P) | 正(P) |
匹配前置放大器型号 | ZPA-7 | ZPA-7 | Preamplifier |