高电压源测单元

参考价	面议

参考价

面议

具体成交价以合同协议为准

公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
品牌其他品牌
型号E系列
所在地武汉市
厂商性质生产厂家
更新时间2024/1/30 16:26:53
访问次数506

产品标签:

高电压源测 IGBT击穿电压测试 IGBT高压测试国产源测单元高电压源测量单元

在线询价收藏产品查看电话同类产品

联系我们时请说明是制药网上看到的信息，谢谢!

索取相关资料

公司介绍主营产品

武汉普赛斯仪表有限公司坐落于国家*产业基地“武汉·中国光谷”，是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业，拥有以硕士、博士学历为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、高精度高压电源等，*国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。

武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展为道路，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成行业B杆。

展开显示更多内容

源表,数字源表,脉冲电流源,脉冲源表,VCSEL测试系统

产品简介在线询价

产地	国产	产品新旧	全新
自动化程度	半自动	测试范围	0~3000V，0~100mA
输出电压建立时间	< 5ms；	输出接口	KHV（三同轴），支持四线测量；

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA

高电压源测单元产品信息

高电压源测单元简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

设备可应用于IGBT击穿电压测试、IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源、防雷二极管耐压测试、压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

未命名_副本.jpg

技术指标

电压性能参数：

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
100V	10mV	0.1%±40mV	10mV	0.1%±40mV
600V	60mV	0.1%±100mV	60mV	0.1%±100mV
1000V	100mV	0.1%±300mV	100mV	0.1%±300mV
1500V	150mV	0.1%±400mV	150mV	0.1%±400mV
2200V	220mV	0.1%±700mV	200mV	0.1%±700mV
3000V	300mV	0.1%±900mV	300mV	0.1%±900mV

电流性能参数：

电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
1uA	100pA	0.1%±1nA	100pA	0.1%±1nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±10uA	10uA	0.1%±10uA

Z大输出功率：300W，3000V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间：< 5ms；

输出接口：KHV（三同轴），支持四线测量；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig IN及trig out；

尺寸：19英寸1U机箱；

订货信息

型号	E100	E200	E300
源精度	0.1%	0.1%	0.1%
测量精度	0.1%	0.1%	0.1%
Z大功率	100W	220W	300W
Z小电压量程	100V	100V	100V
Z大电压量程	1000V	2200V	3000V
Z小电流量程	1uA	1uA	1uA
Z大电流量程	100mA	100mA	100mA