HMDS预处理真空烘箱
一、HMDS 预处理系统的必要性：
在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺显得更为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。
二、产品特点：
1)外壳采用优质SUS304不锈钢材质，内胆316L不锈钢材料；采用不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置；采用钢化、双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。无发尘材料，适用百级光刻间净化环境使用。
2)箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内保持高真空度。
3) 温度采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定可靠.
4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。
5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，使真空箱密封性能，确保HMDS气体无外漏顾虑。
三、技术参数
| 规格型号 | PVD-090-HMDS | PVD-210-HMDS |
| 容积（L） | 90L | 210L |
| 控温范围 | RT+10～250℃ | |
| 温度分辨率 | 0.1℃ | |
| 控温精度 | ±0.5℃ | |
| 加热方式 | 内腔体外侧加温 | |
| 隔板数量 | 2PCS | 3PCS |
| 真空度 | <133Pa（真空度范围100～100000pa） | |
| 真空泵 | 抽气速度4升／秒，型号DM4 | |
| 电源/功率 | AC220/50Hz，3KW | AC380V/50Hz，4KW |
| 内胆尺寸W*D*H | 450*450*450 | 560*640*600 |
| 外形尺寸W*D*H | 650*640*1250 | 1220*930*1755 |
连接管：316不锈钢波纹管，将真空泵与真空箱*密封无缝连接
备注：选配温度压力记录仪时，因工艺需要改变设备整个外箱结构，请参考实物图。外壳采用优质冷轧钢板粉末静电喷涂，内胆采用316L不锈钢，外箱尺寸为（W*D*H）mm：980x655x1600（含下箱柜高700），下箱柜空置。
四、HMDS预处理系统的原理：
HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。
五、HMDS预处理系统的一般工作流程：
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表面生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
六、尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。
七、产品操作控制系统平台配置:
DM4直联旋片式真空泵，温度控制器,日本三菱可编程触摸屏操作模块，固态继电器，加急停装置。
选购件：富士温控仪表（温度与PLC联动）、三色灯、压力记录仪和温度记录仪。
其它选配：
1）波纹管2米或3米（标配含1米）
2）富士温控仪表（温度与PLC联动）
3）三色灯
4）增加HMDS液体瓶
5）下箱柜子（304不锈钢）适用于外304不锈钢内316不锈钢标准款式
6）压力温度记录仪（带曲线）
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