RTP 200型快速退火炉

　　产品简介：

　　REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。

　　技术特色：

　　- 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿

　　- 红外卤素管灯加热

　　- 极其优异的加热温度精确性与均匀性

　　- 快速数字PID温度控制

　　- 不锈钢冷壁真空腔室

　　- 系统稳定性好

　　- 结构紧凑，小型桌面系统

　　- 带触摸屏的PC控制

　　- 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

　　- 3路气体（MFC控制）

　　- 没有交叉污染，没有金属污染

　　真实基底温度测量技术介绍

　　如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。

　　REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。

　　主要技术参数：

　　- 基片尺寸：8英寸

　　- 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）

　　- 温度范围：150-1250℃

　　- 加热速率：10-150℃/S

　　- 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

　　≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

　　- 温度控制精度：≤ ±3℃

　　- 温度重复性：≤ ±3℃

　　- 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

　　- 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）

　　- 退火持续时间：≥35min@1250℃

　　- 温度控制：快速数字PID控制

　　- 尺寸：1300mm*820mm*1300mm

　　基片类型：

　　- Silicon wafers硅片

　　- Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

　　- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片

　　- Silicon carbide wafers碳化硅基片

　　- Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

　　- Glass substrates玻璃基片

　　- Metals金属

　　- Polymers聚合物

　　- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

　　应用领域：

　　离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。