光谱椭偏仪

一、目的

本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光谱，可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。

二、测量系统规格

SE-VE光谱椭偏仪技术参数

1. 椭偏仪测头规格：

1. 光谱范围：400-800nm

2. 入射角：65°

3. 光斑大小：2-3mm

4. 调制技术：PC_RSA调制技术

5. 膜厚重复性测量精度：0.05nm（100nm 硅基SiO2样件，30次重复测量1σ）

6. 折射率测量精度：0.001（100nm 硅基SiO2样件，30次重复测量1σ）

7. 膜厚测量范围：0.1nm—10μm

8. 单点测量时间：＜5s

9. 光源：高性能进口卤素灯光源（卤素灯寿命：2,000h）

10. 可视化样品显微对准系统

    图1光谱椭偏测头原理图

    图2 SE-VE光谱椭偏仪实物图

1. 样品台规格：

1. 基板尺寸：*大支持样件尺寸到8inch晶圆 （可定制）

2. Z轴位移行程：0-10mm

3. 样件台俯仰角度：> ±2°

1. 测控与分析软件

1. 光谱测量能力：PSI/DELTA椭偏光谱、N/C/S光谱、反射率光谱测量

2. 数据分析能力：具备单层、多层膜厚、光学常数（折射率、消光系数）分析能力

3. 支持常用光学常数模型以及常用振子模型（柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等），并支持图形化多振子混合模型拟合功能

4. 支持多组分薄膜与体材料光学常数、组分比例分析功能； 核心算法包含严格耦合波模型、等效介质模型

5. 支持用户自定义，软件不限制拷贝数量，支持windows10操作系统

1. 测控与分析计算机

1. 操作系统：WIN10 64位

2. CPU处理器：Intel 酷睿I3

3. 内存：≥4G

4. 硬盘：≥500G

5. 显示器：≥19寸

1. 配件

1. 标准SiO2/Si标样

2. 标准安装工具一套

1. 环境要求

1. 椭偏仪承载台：尺寸>1.5m（长）× 1.0 m（宽），承载能力大于50Kg（建议光学隔振）

2. 使用温度范围：20 ~ 26 ℃

3. 相对湿度：35% ~ 60% RH

4. 空气压力范围：750~1014 mbar

5. 洁净度： Class 10000

1. 能源要求

1. 供电电源电压：220V AC

2. 正常频率范围：49-51Hz

3. 相电流：有效值小于0.5A（220V AC）

4. 功率：小于110 W

1. 涂装与表面处理

1. 涂装颜色：以黑色为主

2. 表面处理：镀化学镍、阳极处理、烤漆等

1. 质保与售后服务

1. 整机硬件质保期为12个月。在质保期内出现各类故障供方及时免费维修，对非人为造成的各类零件损坏，及时免费更换

2. 测控与分析软件：升级，数据分析软件提供拷贝

3. 为用户提供**充分仪器操作与数据分析培训

4. 提供终身免费数据建模与分析技术支持，为用户提供样件材料光学常数标定与模型库升级服务

5. 供方在接到故障报修信息后，供方维修人员4小时内电话响应，*晚48小时内供方服务工程师进行****维修