产品特点：
· 190至1150 nm，Si探测器
· 650至1800 nm，InGaAs 探测器
· 1000至2300或2500 nm，InGaAs（扩展）探测器
· 光束直径~100 μm至~3 mm（1.5 mm加长InGaAs）
· 25 μm狭缝对与Si；0.1到2 μm采样间隔
· 50 μm狭缝对，带 InGaAs；0.1到2 μm采样间隔
· 实时±1 mr实时发散和指向测量精度
· 端口供电，USB2.0，灵活的3米电缆，没有电源砖
· 0.1 μm采样和分辨率
· 线性和对数X-Y轮廓
· 轮廓缩放和狭缝宽度补偿
· 实时多Z平面扫描狭缝系统
· 实时XYZ轮廓，焦点位置
· 实时M2、发散、准直、对准
产品参数：
产品参数 | |
波长 | Si detector: 190 to 1150 nm InGaAs detector: 650 to 1800 nm Si + InGaAs detectors: 190 to 1800 nm Si + InGaAs (extended) detectors: 190 to 2300 or 2500 nm |
扫描光束直径 | Si detector: 5 μm to 4 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode* InGaAs detector: 10 μm to 3 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode* InGaAs (extended) detector: 10 μm to 2 mm, to 2 μm in Knife-Edge mode* |
平面间距（CM4 models） | 5 mm: -5, 0, +5, +20 mm |
平面间距 (CM3 models) | 10 mm: -10, 0, +10, 0 mm |
束腰直径测量 | Second moment (4s) diameter to ISO 11146; Fitted Gaussian & TopHat 1/e2 (13.5%) width User selectable % of peak Knife-Edge mode* for very small beams |
束腰位置测量 | 在 X、Y 和 Z 方向上 ± 20 μm z佳 |
测量源 | 连续波；脉冲激光，Φ μm ≥ [500/(PRR in kHz)] |
分辨率精度 | 0.1 μm或扫描范围的0.05%±< 2% ± = 0.5 μm |
M2 测量 | 1 to > 20, ± 5% |
发散/准直，指向 | 1 mrad |
zui大功率和辐照度 | 1 W Total & 0.5 mW/μm2 |
增益范围 | 1,000:1 Switched 4,096:1 ADC range |
显示图形 | X-Y-Z Position & Profiles, Zoom x1 to x16 |
更新率 | ~5 Hz |
平均 | 用户可选择运行平均值（1 到 8 个样本） |
zui低电脑要求 | Windows, 2 GB RAM, USB 2.0/3.0 port |
* Knife-Edge mode需要 CM3 型号
产品选择：
Beam’R2 | BeamMap2 | |
主要特征 | 集成X和Y轮廓 | 实时 XYZθΦ 测量和焦点查找 实时指向、发散和M2 测量 |
接口 | USB 2.0 Port-powered | |
CW or Pulsed? | CW，脉冲zui小 PRR（Si 探测器）≈ [500/（激光直径μm）] kHz | |
波长 | Si:190-1150 nm InGaAs:650-1800 nm Si+InGaAs:190-1800nm Si+InGaAs,extended:190-2500nm | |
X-Y-Z Profiles, plus Θ-Φ | N/A | |
z佳分辨率 | 0.1 μm | |
zui小光束 | 2 μm (Knife Edge mode) | |
更新率 | 5 Hz real-time (adjustable 2-10 Hz) | |
M2 测量 | Yes - with M2DU-BR accessory | Yes - real-time |
定位焦点 | Yes - with M2DU-BR accessory | Yes - real-time |
指向/发散 | Yes - with M2DU-BR accessory | Yes - real-time |
开关增益（选项 dB） | 32 dB | |
参数 | 参数值 | BeamMap2 | Beam'R2 | Comments |
波长可选范围（nm） | 190-1150, 650-1800, 190-1800, 190-2500 | Yes | Yes | Si, InGaAs, Si + InGaAs, |
被扫描光束直径 | 2 μm to 4 mm (2 mm for IGA-X.X) | Yes | Yes | Si + InGaAs, extended |
X-Y 轮廓及中心分辨率： | 0.1 μm 或者 0.05% 的扫描范围 | Yes | Yes | |
精度: | ±<2% ± ≤0.5μm | Yes | Yes | |
CW or Pulsed | 连续/脉冲 zui小PRR ≈ [500/(激光直径μm)]kHz | Yes | Yes | |
光束对准准直 | ± 1 mrad with BeamMap2 ColliMate | Yes | - | |
M2 测量 | 1 to >20, ± 5% | Yes | - | Beam Dependent |
实时更新 | 5 Hz | Yes | Yes | 4 Z-plane hyperbolic fit |
zui大功率＆辐照度 | 1 W Total & 0.3 mW/μm2 | Yes | Yes | Adjustable 2-12 Hz |
增益范围： | 32dB | Yes | Yes | Metallic film on Sapphire slits |
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