晶体管动态特性测试系统

参考价	¥ 980000
订货量	≥1套

具体成交价以合同协议为准

公司名称陕西天士立科技有限公司
品牌其他品牌
型号STA1200
所在地西安市
厂商性质生产厂家
更新时间2024/4/29 17:20:05
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产品标签:

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公司介绍主营产品

　　陕西天士立科技有限公司，专业从事半导体检测之“半导体电学测试系统”“半导体可靠性试验台”“半导体老化试验台”以及气候环境试验设备、力学环境试验设备、参数化脉冲电源、半导体EDA仿真软件、智慧工厂、碳化硅陶瓷材料、第三方检测实验室为一体的科研、制造、开发、服务性品牌。核心团队汇集了来自院所高校和知企业的从事电力电子、芯片开发、电源、软件等领域人士。。产品成熟可靠，久经市场考验，在替代同类进口产品方面有着突出的优势。

　　“半导体检测”系列产品覆盖半导体功率器件的初始研发到规模量产再到应用端的全产业链。服务领域包括半导体器件及IC上游产业(设计、制造、封装、IDM厂商、晶圆、DBC衬板)和应用端产业(院所高校、电子厂、轨道机车、新能源汽车、白色家电等......)应用场景主要有器件及IC研发期预演测试、晶圆厂自动化芯片测试、器件及IC后道封装测试。应用端的来料检验、失效分析、器件选型、参数配对、寿命预估等。

　　“环境试验设备”包括力学振动台、冲击试验台、振动温度湿度三综合、高低温环境试验箱、各类气候环境试验箱、热流仪、精密实时在线高低温箱。

　　“电气工程”产品系列及服务包括电力半导体器件、模块、组件的研制及综合检测设备；电气自动化设备，电冶、电化学整流装置；电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源，感应加热炉，变压器、整流器、电感器、电容器、互感器、传感器及其配套设备；晶闸管光控高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器；远距离光电传感转换软件控制系统；光电脉冲触发板、IGBT智能高压驱动机车调速汇报板；SVC无功静补装置等。

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半导体分立器件静态动态参数测试系统，IGBT静态动态参数特性测试设备，MOS-FET管场效应管测试仪，可控硅参数测试设备，光耦参数测试仪，二三极管参数测试仪，碳化硅SiC氮化镓GaN器件静态动态参数测试仪设备，半导体器件特性分析仪，IGBT模块功率循环试验，实时在线高低温箱，热流仪，气流仪

产品简介在线询价

产地	国产	产品新旧	全新

1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试
2. 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强
3. 自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃
4. 测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析
5. 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)
6. 栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻

晶体管动态特性测试系统产品信息

晶体管动态特性测试系统STA1200

基础信息

高压源：1200V（选配2000V）

高流源：100A（选配200A/300A/500A）

驱动电压：±20V（选配±30V）

时间分辨率：1ns（选配400ps/200ps/100ps）

系统杂感：＜20nH

测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（选配BJT）

变温测试：常温~150℃/200℃

感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH）

阻性负载：程控电阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）备用三个

测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs

测试标准：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023

晶体管动态特性测试系统STA1200

试验原理举例

晶体管动态特性测试系统

晶体管动态特性测试系统STA1200

技术特点

1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试

2. 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强

3. 自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃

4. 测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析

5. 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)

6. 栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻

7. DualARM控核，DSP数据采样计算，极大减少控制时延误差

晶体管动态特性测试系统STA1200

试验能力

标配：开通特性测试单元/Turn_ON

标配：关断特性测试单元/Turn_OFF

标配：二极管反向恢复测试单元/Trr

标配：栅电荷测试单元/Qg¨

选配：容阻测试单元/CR¨

选配：短路测试单元/SC¨

选配：雪崩测试单元/UIS¨

选配：安全工作区单元/SOA¨

选配：动态电阻单元/

陕西天士立科技有限公司

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

晶体管动态特性测试系统STA1200

参数指标

√ 标配（阻性/感性）开关测试单元 / Turn_ON/OFF

漏极电压： 5V-1200V，分辨率 1V

漏极电流： 1A-100A，分辨率1A；

栅极驱动： ±20V （选配±30V），分辨率 0.1V

栅极电流： 2A/MAX

脉冲宽度： 1us-500us,步进 0.1us

时间精度： 1ns

感性负载： 0.01mH-160mH 程序控制，步进 10uH

阻性负载： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控，备用三个电阻

开关时间： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps）

开关延迟： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （选配400/200/100ps）

上下时间/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps）

开关损耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

√ 标配 栅极电荷单元 / Qg

驱动电流： 0-2mA，分辨率 0.01mA

2-20mA，分辨率 0.1mA

20mA-200mA，分辨率 1mA

栅极电压： ±20V （选配±30V） @0.1V

恒流源负载： 1-25A，分辨率0.1A

25-100A(选配200A/300A)@1A

漏极电压： 5-100V，步进 0.1V

100-1200V，步进 1.0V

栅极电荷 Qg： 1nC-100µC

漏极电荷 Qgs： 1nC-100µC

源极电荷 Qgd： 1nC-100µC

平台电压 Vgp： 0~30V，分辨率 0.1V

√ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD

正向电流： 1A-25A，分辨率 0.1A

25A-100A （选配200A/300A）分辨率 1A

反向电压： 5v-100V，步进 0.1V

100V-1200V，步进 1.0v

反向恢复时间 Trr： 1-10000ns，最小分辨率1ns （选配400/200/100ps）

反向恢复电荷 Qrr： 1nC-100µC，最小分辨率 1nC；

反向恢复电流 Irm： 1A-100A （选配200A/300A）；

反向恢复损耗 Erec： 1-2000mJ，最小分辨率 1uJ；

电流下降率 dif/dt： 50-1kA/us；

电压变化率 dv/dt： 50-1kV/us。

¨ 选配 短路特性测试单元/ SC

电流： 1000A/MAX

脉宽： 1us~100us

栅驱电压： ±20V （选配±30V） @0.1V

漏极电压： 5V~100V， 0.1V 分辨率

100V~1200V， 1.0V 分辨率

¨ 选配 雪崩测试单元 / UIS

雪崩耐量/EAS： 100J

雪崩击穿电压/2500V

雪崩电流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性负载/0.01-160mH@10μH，程控可调

¨ 选配 容阻测试单元 / CR

扫频范围： 0.1MHz～5MHz

漏源极电压： 1200V，分辨率 1V

¨ 选配 动态电阻Ron,dy

晶体管动态特性测试系统STA1200

晶体管动态特性测试系统

晶体管动态特性测试系统STA1200

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