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IGBT模块静态参数测试仪

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公司名称深圳市华科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型号HUSTEC-1600A-MT
所在地深圳市
厂商性质经销商
更新时间2024/5/21 17:14:13
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产品标签:

IGBT测试仪静态参数测试仪 IGBT模块测试仪

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公司介绍主营产品

　　深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，功率循环，雪崩及浪涌测试设备，产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等，客户行业涉及轨道交通，地铁，电驱动，新能源汽车，风力发电，变频器，家电等领域；华夏神州，科技兴国，智能创新，源远流长；华科智源公司核心团队由华中科技大学，复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建，致力于中国功率半导体事业，积极响应国家提出的中国制造2025战略，投身于半导体测试设备国产化。

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igbt静态参数测试仪，10us浪涌电流测试仪，分立器件测试仪，栅极电阻/电容测试仪

产品简介在线询价

产地	国产	产品新旧	全新
设备尺寸	500（宽）x 450（深）x 250（高）mm	质量	30kg
海拔高度	海拔不超过 1000m	储存环境	-20℃～50℃
工作环境	15℃～40℃	相对湿度	20%RH ~ 85%RH
大气压力	86Kpa～ 106Kpa	防护	无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害
用电要求	AC220V，±10%	电网频率	50Hz±1Hz

华科智源IGBT模块静态参数测试仪，测试二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。

IGBT模块静态参数测试仪产品信息

HUSTEC华科智源

HUSTEC-1600A-MT

IGBT模块静态参数测试仪

一：IGBT模块静态参数测试仪主要特点

华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

IGBT模块静态参数测试仪测试参数：

ICES 集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

二：IGBT模块静态参数测试仪应用范围

A：IGBT单管及模块，

B：大功率场效应管（Mosfet）

C：大功率二极管

D：标准低阻值电阻

E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

三、IGBT模块静态参数测试仪特征：

A：测量多种IGBT、MOS管

B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围>10V

F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

序号	测试项目	描述	测量范围	分辨率	精度
1	VF	二极管正向导通压降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
3	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
4	Vces	集电极-发射极电压	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通态集电极电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
6	Ic	通态集电极电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
7	Ices	集电极-发射极漏电流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	栅极-发射极阈值电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集电极-发射极饱和电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	栅极发射极电压	0~40V	1mV	±1%,±1mV