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详细介绍
光电探测器
光电倍增管探测器
型号 | PMT类型，冷却方式 | 光谱范围 | 备注 |
1911 (F 或G) | R928 多碱光阴极PMT，风冷，侧窗口 | 190-860 nm | 需要200-1200V高压电源 |
1912 (F 或G) | S1 R406 PMT，水冷或TE制冷，侧窗口 | 400-1100 nm | 需要高压电源，电压可到1500V。虽然光子计数器能近似实现，建议使用电流输入。还包括1630C棱镜接口 |
1913 (F 或G) | R943-02 砷化镓PMT，水冷或TE制冷，顶端窗口 | 200-930 nm | 建议采用光子计数。需要1500V高压电源，电压可达1800V。还包括1630C棱镜接口. |
1914 (F 或G) | 多碱光阴极PMT，水冷或TE制冷，侧窗口 | 190-860 nm | 需要高压电源，电压可达1500V。采用电流输入或光子计数器。还包括1630C棱镜接口. |
光电发射式探测器
型号 | 冷却方式 | 光谱范围 | NEP | 备注 |
硅(Si) | 无冷却 | 0.2 - 1.1 微米 | - | 无放大，大感光面积10x10mm。NEP由模拟输入决定 |
硅(Si) | 无冷却 | 0.3 - 1.1 微米 | 2 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供电 |
锗(Ge) | 无冷却 | 0.8 - 1.8 微米 | 7 x 10-13 | 前置放大，要求±15V 供电 |
锗(Ge) | TE制冷 | 0.8 - 1.75 微米 | 5 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供电 |
铟镓砷 | 无冷却 | 0.8 - 1.7 微米 | 6 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供电 |
铟镓砷 | TE制冷 | 0.8 - 1.65 微米 | 1 x 10-14 | 前置放大，要求±15V 供电 |
铟镓砷 | 液氮冷却 | 0.8 - 1.6 微米 | 1 x 10-15 | 前置放大，要求±15V 供电 |
砷化铟 | 无冷却 | 1 - 3.6 微米 | 2 x 10-10 | 前置放大，要求±15V 供电 |
砷化铟 | TE制冷 | 1 - 3.55 微米 | 1 x 10-11 | 前置放大，要求 +/-15V 供电 |
锑化铟 | 液氮冷却 | 2 - 5.5 微米 | 1 x 10-12 | 前置放大，要求±15V 供电 |
光电导式探测器
型号 | 冷却方式 | 光谱范围 | NEP | 备注 |
硫化铅(PbS) | 无冷却 | 1 - 3微米 | 2 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度在 100-500Hz |
硫化铅(PbS) | TE制冷 | 1 - 3微米 | 1 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度在 100-500Hz |
硒化铅(PbSe) | 无冷却 | 1 - 5微米 | 5 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度1KHz |
硒化铅(PbSe) | TE制冷 | 1 - 5微米 | 2 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 1KHz |
碲镉汞(HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 5微米* | 1 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 1KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 10微米* | 1 x 10-8 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 10KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | 液氮冷却 | 1 - 14微米* | 6 x 10-12 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 14KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | 液氮冷却 | 1 - 20微米* | 2 x 10-11 | 前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 20KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
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