详细摘要： 主要特点此设备具有两个独立的温场，温场之外配有磁力拉杆和石英料舟，并配有内探热电偶，可实现在实验过程中将固态源（如硫粉、硒粉等）推进热场，并同时可检测温度

详细摘要： 低真空CVD系统（BTF-1200C-III-SL-4ZL）

详细摘要： 设备特点此款CVD系统是由多通道高精度的质量流量计、低真空机组以及1500度高温管式炉组成

详细摘要： 主要特点该款设备由我公司和新疆理化技术研究所共同研制的高真空自动循环设备，内外双热电偶控制，内热电偶制动，使用者可以设定设备循环温度点，可根据内热电偶测得的温度...

详细摘要： 主要特点复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备，可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和复合氧化物（Al2...

详细摘要： 设备简介：流化床—化学气相沉积法可控及批量制备碳纳米管设备，该设备包括有：自动加液装置、超声波雾化发生装置、气体供应装置、气体流量控制装置、三温区流化床反应器及...

详细摘要： 主要特点1.此款设备提供两个独立滑动的温场，两温场独立控制，每个温场的加热区的长度为230mm，可在实验过程中推进或推离样品，提供两个位置的快升降温

详细摘要： 设备特点此款CVD系统前端配有可加热到400℃的预加热器，辅助二维材料蒸发，后端为双温区管式炉，温度控制精确，操作简便

详细摘要： 主要特点该设备是由1200度开启式管式炉、精密的质量流量控制系和真空系统所组成

详细摘要： 主要特点炉体采用硅钼棒加热Z高温度可至1650℃，高真空系统采用进口分子泵机组，一键操作，简洁方便，无噪音，同时配高精度的质量流量计系统

详细摘要： 设备特点此款CVD系统是由1200℃开启式迷你真空管式炉、气路系统和低真空机组组成

详细摘要： 设备特点此款1700℃高温CVD系统，是由1700度管式炉、三路质量流量计系统以及国产高真空系统（或选配低真空系统）所组成

详细摘要： 设备特点此套设备是由1200℃双温区开启式管式炉、三路质量流量计及低真空系统组成，根据工艺要求亦可选配高真空系统

详细摘要： 设备特点此款设备是专为生长石墨烯研制的石墨烯薄膜生长专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，温区可独立程序控制，设备操作时可将实验需要的恒定高温直...

详细摘要： 1、主要特点该设备炉管可360°旋转，有助于粉料的烧结更均匀，可大角度倾斜，方便进出料，倾斜角度在0-35°之间