OTL-PECVD-1200-1400-1200三温区PECVD系统

OTL-PECVD-1200-1400-1200三温区PECVD系统，由三台滑竿式真空管式炉、石英真空室、射频电源、GX供气系统、抽气系统、真空测量系统、电动拖动机构组成。

主要特点：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。

这款三温区PECVD系统是一款能够快速加热、冷却的PECVD系统，是在三台管式炉安装一对电动滑轨，可用电动滑动系统。加热和冷却速率*可达100°C/min。为取得加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后移动炉子到样品位置。为获得冷却，可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s，是低成本快速加热、冷却的双温区PECVD系统。

这款三温区PECVD系统以瑞典Kanthal电阻丝和硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，炉管两端采用不锈钢法兰密封，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10-3 Pa， 分两个温区，两个温区可以独立控制、设置不同的温度，使用方便，操作简单，该炉子具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点，是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧 结、生长石墨烯、生长各种薄膜的理想产品。

（1）、硅碳棒的热端粗度d为14mm、一般厂家采用的12MM、加热端粗、不容易弯曲、棒子的表面负荷低，使用寿命长。

（2）、m冷端长度为210mm， 一般厂家采用180mm, 冷端长炉顶温度低。

（3）、硅碳棒表面氧化非晶膜致密，能够比较好的保护碳棒。

当电路过流或漏电时，空开会自动断开

该气氛管式炉可配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出

（1）、真空吸滤成型的高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛。
（2）、采用*成型。
（3）、炉膛材料热容低、热传导系数低，从而散热少、保温好、反射率高。温场均衡。
（4）、炉膛氧化铝丝细而长、耐温高、抗热涨冷缩能力强
（5）、炉膛表面光洁、不易掉粉。

（全部通过UL认证的进口电器）