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详细介绍
NIE-4000 离子束刻蚀系统
NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统
通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用。
NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持在50°C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片。
工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面。
系统具有完整的安全联锁，提供四级密码访问保护，防止使用者越权使用，含：
。 操作者权限：运行程序
。工艺师权限：添加/编辑和删除程序
。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程序
。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除
系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支持 1到 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺。
系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达到10-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量。
对标准晶圆可支持单片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控。
若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处理
典型应用：
。 三族和四族光学元件
。激光光栅
。高深宽比的光子晶体刻蚀
。在二氧化硅、硅和金属上深沟刻蚀
。 微流体传感器电极及测热式微流体传感器
设备特点：
。 24”x60”x10”长方或 14.5”立方型不锈钢离子束腔体
。24”Wx10”H 或 8”测开门，带 2 个 2”观察视窗
。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)
。 倒装磁控无栅无灯丝准直 60cm 线性离子源(离子枪)，1500-2500V，并且高达 1000mA，无需中和器。
。 离子源均匀性可达+/-2.5%，操作压力<1mTorr。与带栅极离子源相比更可靠，更低维护，更少污染。
。 离子枪电源：4KV 电源
。配套 Ar 和 CF4 MFC，支持 IBE 和 RIBE 刻蚀应用
。 反应性气体通过靶枪的长度方向引入，均匀分布
。冷却水冷却（背氦冷却可选）
。 步进电机控制离子枪扫描或样品台旋转/倾斜
。 手动或自动(自动仅对标准晶圆)上下载晶圆片
。 配套 1200L/Sec 涡轮分子泵，串接 2021C2 机械泵，带
Fomblin 泵油
。 极限真空可达 7×10-7 Torr
。下游压力通过 PC 对分子泵涡轮速度的控制自动调节
。SiN4 磁控溅射保护被刻蚀金属表面以防氧化(选配)
。 基于 LabVIEW 软件的计算机全自动工艺控制
。菜单驱动，密码保护，*的安全联锁
。紧凑型设计，占地面积仅 26”Dx66”W,节省空间
系统可选：
。光谱终点探测器
。氦气背部冷却
。更大尺寸的电镀方形腔体
。 自动装载/卸载
。 低温泵组
。 附加反应气体质量流量控制器
。 格状射频电感耦合等离子体
。 用于钝化层沉积的溅射源
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