瑞士mettler toledo【MT1041-10KG】

【广州★洋奕】品质是企业的生命,信誉是企业的灵魂，不断吸攒取市场经验及引进*的经营理念，并且将瑞士mettler toledo【MT1041-10KG】称重传感器技术运用到企业中，通过不断的科技进步和科学管理，企业的规模迅速扩大，瑞士mettler toledo【MT1041-10KG】称重传感器远销各地八方，洋奕电子蓄势待发，立志打造的服务机构！

外界环境对测量传感器的影响

传感器横向灵敏度及横向振动对测量的影响

由于压电材料自身特性，敏感芯体的结构设计和制造精度偏差使传感器不可避免地对横向振动产生输出信号，其大小由横向输出和垂直方向 输出的比值百分数来表示。

根据不同敏感芯体结构和材料特性的组合，压缩型结构在理论上便存在横向输出，需要通过装配调节的方式给予抵消，而在实际制造过程中很难实现真正的抵消，因此压缩型加速度传感器的横向灵敏度的离散度很大。与压缩型相比剪切型设计在理论上不存在横向输出，传感器的实际横向输出一般是由材料加工和装配精度所引起的误差。所以从这两种敏感芯体的实际对比结果来看，剪切型压电加速度传感器的横向灵敏度普遍优于压缩型式。而敏感芯体为弯曲梁结构形式的横向灵敏度一般说介于剪切型和压缩型之间。根据敏感芯体的结构特性，在其受横向振动时与垂直方向振动一样，也有相应的结构频率响应。所以横向振动也同样可能在某一频率点产生谐振，以至产生较大的横向振动偏差。

温度对传感器输出的影响

温度改变而引起托利多传感器输出变化是由压电材料（敏感芯体）特性所造成的。根据压电材料的分类，石英晶体受温度影响zui小，而人工合成晶体的使用温度甚至高于石英；但在商业化的压电加速度传感器中zui多使用的压电材料还是压电陶瓷。压电陶瓷敏感芯体的输出高温时随温度上升而增大，低温时随温度降低而减小；但传感器输出与温度间并不呈线性变化，一般说低温时的输出变化比高温时的要大。另因为各传感器的温度响应很难保持*，所以实际使用中传感器的输出一般很少用温度系数进行修正。典型温度响应曲线或温度系数一般只作为对传感器温度特性的衡量。压电陶瓷对温度响应除材料本身特性之外，生产工艺也将直接影响压电材料对温度的响应，而同种材料对温度响应的离散度更是如此。同样是锆钛酸铅材料，不同的厂商由于采用不同的生产工艺，使得相同材料的压电陶瓷而其各自的使用温度范围，温度响应和温度响应的离散度相差甚大。综合对压电材料的基础研究和生产加工工艺，目前国内压电陶瓷的温度特性与*进水准相比还有一定差距；为确保用户对传感器的特殊要求，北智采用进口压电陶瓷，使传感器的高温使用温度可在 +250^oC 下*使用，而且温度响应及其离散度都好于国产压电陶瓷。

不同的敏感芯体结构设计对温度的变化的响应会产生不同的结果。由于不同材料有不同的线膨胀系数，因此温度变化必然使压电材料和金属配件之间产生因线膨胀系数不同而造成的应力变化；这种由温度产生的应力使压缩式和弯曲梁型的敏感芯体产生输出信号，有时这种温度变化引起的输出会大于振动测量信号（特别在低频测量中）。需要特别指出温度变化有稳态和瞬态两种，传感器输出灵敏度随温度变化通常是指稳态高低温度状态对信号输出的影响。

压阻式托利多传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。

用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力托利多和速度的固态压阻式传感器应用zui为普遍。

SLR110系列不锈钢称重传感器 
SLR110-1t 称重传感器，SLR110-2t 称重传感器，SLR110-5t 称重传感器，SLR110-10t 称重传感器，SLR110-15t 称重传感器

GD摇柱式称重传感器 

GD-15T，GD-20T，GD-30T，GD-50T，GD-100T，GD-200T，GD-250T，GD-300T，GD-400T，GD-500T

GD系列传感器连接件

CP GD连接件CP(15～50T)

DP GD连接件DP(15～50T)

CP(100T) GD连接件CP(100T)

DP(100T) GD连接件DP(100T)

PGD系列柱式称重传感器 
PGD-2T，PGD-5T，PGD-10T，PGD-20T，PGD-30T，PGD-50T

 干扰的耦合方式
（1）传导性EMI
一种*而往往被忽略的能引起电路中噪声的路径是经过导体。一条穿过噪声环境的导线可检拾噪声并把噪声送到其他电路引起干扰。设计人员必须避免导线检拾噪声和在噪声引起干扰前用去耦办法去除噪声。zui普通的例子是噪声通过电源进入电路。若电源本身或连接到电源的其他电路是干扰源，则在电源线进入电路之前必须对其去耦。

（2）公共阻抗耦合
当来自两个不同电路的电流流经一个公共阻抗时就会产生共阻抗耦合。阻抗上的压降由两个电路决定，来自两个电路的地电流流过共地阻抗。电路a的地电位被电流b调制，噪声信号或DC补偿经共地阻抗从电路b耦合到电路a。  

（3）辐射耦合
经辐射的耦合通称串扰。串扰发生在电流流经导体时产生电磁场，而电磁场在邻近的导体中感应瞬态电流。

（4）辐射发射
辐射发射有两种基本类型；差分模式(DM)和共模(CM)。共模辐射或单极天线辐射是由无意的压降引起的，它使电路中所有地连接抬高到系统电地位之上。就电场大小而言，CM辐射是比DM辐射更为严重的问题。为使CM辐射zui小，必须用切合实际的设计使共模电流降到零。

电位器式位移传感器：

它通过电位器元件将机械位移转换成与之成线性或任意函数关系的电阻或电压输出。普通直线电位器和圆形电位器都可分别用作直线位移和角位移传感器。但是，为实现测量位移目的而设计的电位器，要求在位移变化和电阻变化之间有一个确定关系。图1中的电位器式位移传感器的可动电刷与被测物体相连。物体的位移引起电位器移动端的电阻变化。阻值的变化量反映了位移的量值，阻值的增加还是减小则表明了位移的方向。通常在电位器上通以电源电压，以把电阻变化转换为电压输出。线绕式电位器由于其电刷移动时电阻以匝电阻为阶梯而变化，其输出特性亦呈阶梯形。如果这种位移传感器在伺服系统中用作位移反馈元件，则过大的阶跃电压会引起系统振荡。因此在电位器的制作中应尽量减小每匝的电阻值。电位器式传感器的另一个主要缺点是易磨损。它的优点是：结构简单，输出信号大，使用方便，价格低廉。