电子束蒸发镀膜仪设备用途:
用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。
电子束蒸发镀膜仪技术参数:
结构形式 | 真空室采用U型箱体前开门,后置抽气系统 | |
真空室 | 500×500×600mm2 | |
真空系统配置 | 复合分子泵、机械泵、闸板阀 | |
极限压力 | ≤6. 67×10-5Pa (经烘烤除气后); | |
恢复真空时间 | 45分钟可达到6. 67×10-4Pa (系统短时间暴露大气并充干燥 氮气后) | |
电子束 蒸发源 | e型电子枪 | 阳极电压:6kv、8kv; |
数量(套) | 1 | |
坩埚 | 水冷式坩埚,四穴设计,每个容量11ml | |
功率 | 0一6 KW可调 | |
电阻蒸发源 (可选) | 电压 | 5、10V |
功率 | 电流300A,*大输出功率3KW | |
数量 | 1套,可切换 | |
水冷电极 | 3根,组成2个蒸发舟 | |
工件架类型及尺寸 | 基片尺寸:可放置4”基片,加热高温度800℃±1℃ ,基片可连续回转,转速5~60转/分 基片与蒸发源之间距离300~350mm可调,手动控制样品挡板组件1套 | |
气路系统 | 200SCCM质量流量控制器1路 | |
石英晶振膜厚控制仪 | 监测膜厚显示范围:0~99 u 9999A; | |
设备占地面积 | 主机 | 900×800mm2 |
电控柜 | 800×800mm2 (两个) |