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台式射频电源单靶磁控溅射镀膜仪

参考价面议
具体成交价以合同协议为准
  • 公司名称郑州成越科学仪器有限公司
  • 品       牌
  • 型       号CY-MSP190S-1T-RF
  • 所  在  地
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/2/16 9:23:51
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郑州成越科学仪器有限公司位于郑州*开发区863软件园内,是一家专业从事材料制备设备和材料制备原料代理的高科技公司。重点专注于CVD石墨烯制备设备、荧光粉烧结设备、氧化锆生物陶瓷烧结、纳米材料制备、电池材料制备、陶瓷材料的微波烧结、稀有金属的区域提纯等研究发展方向,立志做材料制备技术及设备和原料的提供商。 郑州成越科学仪器有限公司的“研发团队”凭借自身在热处理技术方面的专业知识和丰富的实践经验,先后研发出了多款材料制备设备。主要产品有:微波烧结炉、真空管式炉、箱式电阻炉、高频感应炉、氧化锆烧结炉、荧光粉烧结炉、晶体退火炉、电池材料烧结炉、旋转管式炉、立式管式炉、CVD管式炉等;其他的产品还有:等离子清洗机、真空手套箱、真空干燥箱、环境模拟测试柜、行星球磨机、高纯石英管、99刚玉管、真空法兰等。 郑州成越科学仪器有限公司 近年来,在社会各界的关心支持下,公司不断发展壮大,与国内外多所高校和科研单位建立起了合作关系;公司还聘请了多位国内外重点高校的教授,博导为公司常年的技术顾问,他们时刻与国内外学术界保持交流,出国访问,并亲临一线指导产品的生产和研发,使我公司的产品不断完善,并紧跟世界研究热点,推出相关的新产品。产品远销欧美、日韩等国家,并在国内外市场获得业界*。 如果您正在被国货的产品质量所困扰,选择我们将改变您对国货的某些观念;如果您正在为自己的实验方案的实施而茫然,选择我们将有专业的技术团队为您量身定做!如果您正在为故障设备的售后无人理会而发愁,选择我们一切的问题将由我们负责到底。
压片机
简单介绍: 本设备为单靶磁控镀膜仪,可用于金属薄膜的制备,在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用,也可实验室SEM样品制备。本型号配备射频电源,尤其适合非金属或其他非导电材料镀膜
台式射频电源单靶磁控溅射镀膜仪 产品信息
详情介绍:
产品介绍:本设备为单靶磁控镀膜仪,可用于金属薄膜的制备,在电子领域、光学领域、特殊陶瓷制备等领域均有应用,也可实验室SEM样品制备。本型号配备射频电源,尤其适合非金属或其他非导电材料镀膜。

本套配置采用高真空不锈钢腔体,腔体设置带挡板的石英观察窗,便于实验的观察记录;腔体设计真空性能优良,造型小巧,十分适合实验室使用。同时设备配有旋转加热样品台,可以有效提高薄膜的均匀性和成膜的质量。整机采用模块化设计,操作逻辑简单,操作界面直观,利于上手。


单靶磁控溅射镀膜仪技术参数:

产品名称

桌面型不锈钢腔体单靶磁控溅射镀膜仪

产品型号

CY-MSP190S-1T-RF

安装条件

1、使用环境温度 25℃±15℃,湿度 55%Rh±10%Rh;

2、设备供电:AC220V,50Hz,必须有良好接地;

3、额定功率:1500w(整机含电源);

4、设备用气:设备腔室内需充注氩气清洗,需客户自备氩气,纯度 ≥99.99%;

5、摆放工作台尺寸要求 600mm×600mm×700mm,承重 80kg 以上;

6、摆放位置要求通风散热良好。

技术参数

1、 溅射电源:射频电源300W;*大输出电压600V,极限输出电流500mA

2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合挡板;

3、 磁控靶适用靶材: φ50mm x 3mm厚

4、 腔体尺寸:外径φ194mm ,内径186mm x 高230mm;

5、 腔体材质: 304不锈钢

6、 旋转加热样品台:转速1~20rpm  连续可调;加热温度*高500℃,升温速度推荐10/min,*高20/min

7、 冷却方式:磁控靶及分子泵需要循环水冷机;

8、 水冷机:水箱容积9L,流速10L/min

9、 供气系统:质量流量计, 气体类型Ar气,流量1~100sccm(可定制);

10、 流量计精度:±1.5%量程

11、 真空腔体抽气接口为 KF40;

12、 进气接口为 1/4 英寸双卡套接头;

13、 显示屏为7英寸彩色触摸屏;

14、 可调节溅射电流,可设置溅射安全电流值、安全真空值;

15、 安全保护:过流、真空过低自动切断溅射电流;

16、 极限真空:5E-4Pa(搭配分子泵);

17、 真空测量为电阻规真空计,其量程为:1~105Pa

注意事项

1、磁控溅射工作真空较高,一般在2Pa之内,需要配分子泵使用。

2、为了达到较高的无氧环境,至少要用高纯惰性气体对真空腔体清洗 3 次。

3、磁控溅射对进气量比较敏感,需要使用质量流量计控制进气量

可选配件

膜厚监测仪

1、膜厚分辨率:0.0136Å(铝)

2、膜厚准确度:±0.5%,取决于过程条件,特别是传感器的位置, 材料应力,温度和密度

3、测量速度:100ms-1s/次,可设置测量范围:500000Å(铝)

4、标准传感器晶体:6MHz

5、适用晶片频率:6MHz 适用晶片尺寸:Φ14mm 安装法兰:CF35

其他配件

1、CY-CZK103系列高性能分子泵组(含复合真空计,测量范围10-5Pa~105Pa);

CY-GZK60系列小型分子泵组(含复合真空计,测量范围10-5Pa~102Pa

VRD-4双极旋片真空泵

2、KF40真空波纹管;长度可选0.5m、1m、1.5m;KF40卡箍支架

3、膜厚仪晶振片;

 
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