·技术优势 |
中心传感单元采用高精度硅技术,铂金级精度 ±0.05% 双过载保护膜片设计,单向过压可达满量程的1166倍 稳定可靠,温度影响变化极小 EMC符合GB/T 18268.1-2008 |
·技术参数 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
过载压力
满量程 | 40kPa | 250kPa | 3MPa |
过载压力 | 7MPa | 4MPa | 15MPa |
·技术优势 |
中心传感单元采用高精度硅技术,铂金级精度 ±0.05% 双过载保护膜片设计,单向过压可达满量程的1166倍 稳定可靠,温度影响变化极小 EMC符合GB/T 18268.1-2008 |
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过载压力
满量程 | 40kPa | 250kPa | 3MPa |
过载压力 | 7MPa | 4MPa | 15MPa |
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