RTP-SA-12半自动快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，利用极快的升温速率，将晶圆或是材料在很短的时间加热至300℃-1250℃，进而消去晶圆或是原材料内部某些缺点，改进产品特性。
工作原理
快速退火炉采用的微电脑自动控制系统，选用PID闭环控制温度，能够达到的控温精度和温度均匀性，而且可配置真空腔体，也可根据客户加工工艺要求配备多路气体。
行业应用
快速热处理工艺（RTP）
快速退火（RTA）
快速热氧化（RTO）
化合物合金（砷化镓、氮化物等）
多晶硅退火
欧姆接触快速合金
产品优势
暂无数据
应用案例
产品推荐
桌面型快速退火炉RTP-Table-6
温度可达1250℃，可测单晶片样品尺寸为6英寸
全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8
全自动双腔设计，可兼容6-8英寸WAFER
产品尺寸 4-12英寸晶圆或者支持300*300mm产品，兼容12寸及以下晶圆
温度范围 室温~1250℃
温控方式 快速PID温控
温度均匀度 ＜500℃温度均匀性：±1℃ ＞500℃时温度均匀性：±1℃
升温速度 ≤25℃/s（SiC载盘）
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